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Microsemi的扩大碳化硅(SiC)功率模块产品系列 发布时间:2013/1/30 11:08:19
在工业级和扩展级温度范围内提供新的解决方案
美国加州Aliso Viejo的,, 2013年1月15日 日电/美通社亚洲/ - (标志: http://photos.prnewswire.com/prnh/20110909/MM66070LOGO) SiC技术提供了更高的击穿电场强度和更好的热传导性比硅材料。这可以提高性能的参数,包括零反向恢复,与温度无关的行为,较高的耐压能力和较高的温度下运行,实现新水平的性能,效率和可靠性的特点。 “我们应用在功率半导体集成和封装我们丰富的专业知识,碳化硅功率模块,提供了出色的性能,可靠性和整体素质提供了新一代的家庭,说:” 菲利普杜平总经理 关于新型SiC模块 其他功能还包括高速开关,低开关损耗,低输入电容,低驱动器的要求,低调,最小的寄生电感,使高频率,高性能,高密度和节能电源系统。 新的工业温度模块系列包含以下参数和设备:
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