|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
ADG1201原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/8/21 10:29:52 概述 该ADG1201 / ADG1202均为单芯片互补
含有金属氧化物半导体（CMOS）器件
一个单刀单掷开关设计成iCMOS®（工业CMOS）
流程。 iCMOS是一种模块式制造工艺
结合高电压CMOS与双极技术。
它支持范围广泛的高perform-发展
在一个脚印能33 V操作ANCE模拟IC
没有上一代的高压器件已
能实现的。与采用传统的模拟IC
CMOS工艺，iCMOS元件可以承受高
同时还能提升性能的电源电压，
大幅降低功耗，并且减少了
封装尺寸。
超低电容和电荷注入的这些
开关使其成为数据采集的理想解决方案
和采样保持应用中，低毛刺和快速
沉降是必需的。开关速度快加上
高信号带宽，使部分适合视频
信号切换。
的iCMOS结构可确保功耗极低，
因而非常适合便携式电池 - 零件
电动器械。
该ADG1201 / ADG1202包含一个单刀/单掷
（SPST）开关。图1显示，与图1中，一个逻辑输入
所述ADG1201的开关是闭合的，而且ADG1202的是
打开。每个开关导电性能相同，在两个方向的时候
上，并具有延伸到电源的输入信号范围。在
截止状态，信号电平至被阻止。
产品聚焦
1。
超低电容。
2。
<1 pC的电荷注入。
3。
超低泄漏。
4。
3 V逻辑兼容数字输入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V.
5。
没有VL逻辑电源要求。
6。
SOT-23封装。
特征
2.4 pF的关断电容
<1 pC的电荷注入
低漏电; 0.6 nA（最大值）@85°C
120Ω的电阻
在±15 V，+ 12V完全指定
无需VL电源
3 V逻辑兼容输入
轨到轨工作
6引脚SOT-23封装
应用
自动测试设备
数据采集系统
电池供电系统
采样保持系统
音频信号路由
视频信号路由
通信系统
|
|
||||||||