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CY62136FV30LL-45BVXI原装现货热销/CYPRESS品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/8/5 14:38:15 功能说明 该CY62136FV30是一种高性能CMOS静态RAM
由16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。此
非常适用于便携式提供更多的电池寿命™（MoBL®）
应用，如蜂窝电话。该装置还具有一个
自动断电功能，显著降低功耗
由90％的消费时地址不切换。配售
该设备进入待机模式功耗降低
超过99％的取消时（CE高）。输入和
输出管脚（IO0通过IO15）被放置在高阻抗
当状态：
■取消（CE高）
■禁用输出（OE高）
■两个高字节使能和字节低启用已禁用
（BHE，BLE HIGH）
■写操作有效（CE低和WE LOW）
通过采取芯片使能（CE）和写使能写设备
（WE）输入端为LOW。如果低字节使能（BLE）为低，则数据
从IO引脚（IO0至IO7）被写入的位置
上的地址引脚（A0至A16）中指定。如果高字节
启用（BHE）为低，然后从IO引脚上的数据（通过IO8 IO15）
被写入的地址引脚指定的位置（A0
通过A16）。
从设备读取通过采取芯片使能（CE）和输出
使能（OE）低同时迫使写使能（WE）高。如果
低字节使能（BLE）为低时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置出现在IO0至IO7。如果
高字节使能（BHE）低，再从内存中的数据
出现在IO8至IO15。请参阅“真值表”9页上的
读写模式，完整的描述。
特征
■超高速：45纳秒
■温度范围
❐工业：-40°C至+85°C
❐汽车：-40°C至+125°C
■宽电压范围：2.20V-3.60V
■引脚与CY62136V，CY62136CV30/ CV33，并兼容
CY62136EV30
■超低待机功耗
❐典型待机电流：1μA
❐最大待机电流：5μA（工业）
■超低有功功率
❐典型工作电流：在f1.6毫安=1兆赫（45纳秒的速度）
■容易内存扩展与CE，和OE功能
■自动断电时取消
■CMOS的最佳速度和力量
■可提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
包
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