|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
CY7C1021DV33-10BVXI原装现货热销/价格/图片/PDF 发布时间：2015/7/30 11:44:31 功能说明[1] 该CY7C1021B是一款高性能CMOS静态RAM
由16位主办65,536字。该装置具有一个
自动断电功能，显著降低
功耗取消时。
写器件是通过采取芯片使能实现
（CE）和写使能（WE）输入低。如果低字节使能
（BLE）为低，然后从I / O引脚的数据（I / O1到I / O8），是
写入在地址引脚指定的位置（A0
通过A15）。如果高字节使能（BHE）低，则数据
从I / O引脚（I / O9通过I / O16）被写入的位置
上的地址引脚（A0至A15）中指定。
从设备读取是通过采取芯片完成
启用（CE）和输出使能（OE）低，而迫使
写使能（WE）高。如果低字节使能（BLE）为低，
然后，从存储器位置的数据由地址指定
销将出现在I / O1到I / O8。如果高字节使能（BHE）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O9到I / O16。见
在此数据表的背面为一个完整的真值表
读写模式描述。
输入/输出管脚（I / O1到I / O16）被放置在一个
高阻抗时，该设备被取消选中状态（CE
高），输出被禁用（OE高），BHE和BLE
被禁止（BHE，BLE HIGH），或写操作（CE期间
低，和WE LOW）。
该CY7C1021B是标准的44针TSOP II型可
和44引脚400密耳宽的SOJ封装。
特征
•温度范围
- 商业：0°C至70℃
- 工业：-40°C至85°C
- 汽车：-40°C至125°C
•高速
- TAA=12纳秒（商业及工业）
- TAA=15纳秒（汽车）
•CMOS的最佳速度/功率
•低有功功率
- 770毫瓦（最大）
•自动断电时取消
•高位和低位的独立控制
•提供无铅和非无铅44引脚TSOP II和
44针400密耳宽的SOJ
|
|
||||||||