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EP1AGX50DF1152I6N
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EM63A165TS-6G原装现货热销/ETRON品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/6/26 17:36:26 概观 该EM63A165 SDRAM是一个高速CMOS
同步DRAM包含256兆位。这是内部
配置为4个组,2M字×16 DRAM与
同步接口(所有信号被登记在
时钟信号CLK)的上升沿。读写
访问到SDRAM的突发导向;访问
开始在选定的位置,并持续一段
在编程单元编程的数
序列。访问开始时的登记
BankActivate命令,然后跟着一个读
或写命令。
该EM63A165提供可编程只读
或写入的1,2,4,8,或整页突发的长度,用
突发终止选项。可自动预充电功能
经启用以提供一个自定时行预充电是
在脉冲串序列的末端开始。刷新
功能,自动或自刷新易于使用。
由具有可编程模式寄存器,所述
系统可以选择最合适的模式,以最大限度地
其性能。这些装置非常适用于
需要高内存带宽的应用和
特别适合于高性能的PC
应用。
产品特点
•从时钟快速存取时间:5/5.4纳秒
•快速时钟速率:143分之166兆赫
•完全同步操作
•内部流水线结构
•4M字×16位×4行
•可编程模式寄存器
- CAS#延迟:2或3
- 突发长度:1,2,4,8,或整页
- 突发类型:交错或线性突发
- 突发停止功能
•自动刷新和自刷新
•8192刷新周期/64ms的
•CKE省电模式
•+ 3.3V单电源
•接口:LVTTL
•54针400万塑料TSOP II无铅封装
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