|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
SST25VF512-20-4C原装现货热销/SST品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/6/26 17:28:56 产品说明 SST的串行闪存系列采用四线，SPI-compati-
BLE接口，可以低引脚数封装occu-
pying更少的电路板空间，并最终降低总系统
成本。 SST25VF512 SPI串行闪存制造
应该用针戳穿与SST专有的，高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计和
厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST25VF512设备显著提高perfor-
曼斯，同时降低功耗。总
消耗的能量是所施加电压的函数，电流
租金，以及应用程序的时间。因为对于任何给定的电压
范围，SuperFlash技术使用更少的电流亲
克，并且具有擦除时间更短，则总能源
SUMED任何擦除或编程操作时小于
其他闪存技术。该SST25VF512
器件采用单2.7-3.6V电源。
该SST25VF512器件采用8引脚SOIC
和8触点WSON封装。参见图1为销
分配。
产品特点：
•
单2.7-3.6V读取和写入操作
•
串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•
20 MHz的最大时钟频率
•
卓越的可靠性
- 耐力：100,000周期（典型值）
- 大于100年的数据保留
•
低功耗：
- 读操作工作电流：8 mA（典型值）
- 待机电流：8μA（典型值）
•
灵活的擦除功能
- 均一4 K字节扇区
- 均一32 K字节覆盖块
•
快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间：70毫秒（典型值）
- 部门或块擦除时间：18 ms（典型值）
- 字节编程时间：14μs（典型值）
•
自动地址递增（AAI）编程
- 减少总芯片编程时间
字节编程操作
•
检测结束写的
- 软件状态
•
保持引脚（HOLD＃）
- 挂起串行序列到所述存储器
不取消选择器件
•
写保护（WP＃）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•
软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
•
可用的软件包
- 8引脚SOIC（4.9毫米×6）
- 8触点WSON
|
|
||||||||