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SST25VF010原装现货热销/SST品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/6/26 17:27:06 产品特点： •
单2.7-3.6V读取和写入操作
•
串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•
20 MHz的最大时钟频率
•
卓越的可靠性
- 耐力：100,000周期（典型值）
- 大于100年的数据保留
•
低功耗：
- 读操作工作电流：8 mA（典型值）
- 待机电流：8μA（典型值）
•
灵活的擦除功能
- 均一4 K字节扇区
- 均一32 K字节覆盖块
•
快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间：70毫秒（典型值）
- 部门或块擦除时间：18 ms（典型值）
- 字节编程时间：14μs（典型值）
•
自动地址递增（AAI）编程
- 减少总芯片编程时间
字节编程操作
•
检测结束写的
- 软件状态
•
保持引脚（HOLD＃）
- 挂起串行序列到所述存储器
不取消选择器件
•
写保护（WP＃）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•
软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
•
可用的软件包
- 8引脚SOIC（4.9毫米×6）
- 8触点WSON
产品说明
SST的串行闪存系列采用四线，SPI-的COM
兼容的接口，可以低引脚数封装
占用更少的电路板空间，并最终降低总
系统的成本。 SST25VF010 SPI串行闪存
与SST专有的，高性能的制造
CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性
和
生产能力
相比
同
备用
方法。
该SST25VF010设备显著提高perfor-
曼斯，同时降低功耗。总
消耗的能量是所施加电压的函数，
目前，和时间的应用。因为对于任何给定的电压
年龄范围，SuperFlash技术使用更少的电流
编程，并且具有擦除时间更短，总能量
在任何擦除消耗或编程操作较少
比其他闪存技术。该
SST25VF010器件采用单2.7-3.6V
电源。
该SST25VF010器件采用8引脚SOIC
和8触点WSON封装。参见图1为销
分配。
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