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SST39VF088-70-4C-EK原装现货热销/SST品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/6/18 11:47:20 产品说明 该SST39VF088设备是1M×8的CMOS多用途
闪存（MPF）与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。在分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代相比，
方法。该SST39VF088写操作（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。它符合JEDEC标
准引脚为x8的回忆。
特色
高
性能
字节编程，
该
SST39VF088设备提供了一个典型的字节编程时间
14微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询来
表明完成计划的操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，这些频谱
器件提供10,000保证续航能力
循环。数据保存的额定功率为100年以上。
该SST39VF088装置适合于应用
需要计划的方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。因为
对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术
使用的编程电流更低，具有擦除时间更短，
在任何擦除或程序所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。他们
还可以提高灵活性，同时降低成本的计划，
数据和配置存储应用。
SuperFlash技术支持固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已发生的周期。因此，系统软件
或硬件不必进行修改或降额，这
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/亲编程时间增加
克周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求，
SST39VF088是48引脚TSOP封装提供。见
图1为引脚分配。
产品特点：
•
组织为1M X8
•
单电压读写操作
- 2.7-3.6V
•
卓越的可靠性
- 耐力：100,000周期（典型值）
- 大于100年的数据保留
•
低功耗（在5 MHz的典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流：4μA（典型值）
•
扇区擦除功能
- 均一4 K字节扇区
•
块擦除功能
- 统一64千字节块
•
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
•
锁存地址和数据
•
快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间：18 ms（典型值）
- 块擦除时间：18 ms（典型值）
- 芯片擦除时间：70毫秒（典型值）
- 字节编程时间：14μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
•
自动写时序
- 内部VPP生成
•
检测结束写的
- 切换位
- 数据＃投票
•
CMOS I/ O兼容性
•
JEDEC标准
- 闪存EEPROM引脚及指令集
•
可用的软件包
- 48引脚TSOP（12×20毫米）
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