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SST39VF160-70-4C-EK原装现货热销/SST品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/6/18 11:44:32 产品说明 该SST39LF / VF160设备1M X16的CMOS多
目的闪存（MPF）与SST专有的制造，
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性较
替代的方法。该SST39LF160写入（计划或
擦除）与3.0-3.6V电源。该SST39VF160
写（编程或擦除）与2.7-3.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准的引脚排列X16
回忆。
配备高性能的字编程能力，SST39LF /
VF160设备提供14典型字编程时间
μsec.These器件使用翻转位或数据＃查询，从而提供与
美食完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用中，这些频谱
器件提供10,000保证续航能力
循环。数据保存的额定功率为100年以上。
所述SST39LF / VF160设备适合于应用
需要亲的方便和经济升级
克，配置或数据存储器。对于所有系统应用程序
阳离子，它们显著提高性能和
可靠性，同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程期间ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。消耗的总能量是一
所施加的电压的函数，电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内，则超快闪
技术使用的编程电流更低，并且具有更短
擦除时间，在任何擦除的总能量消耗或
编程操作是低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性，同时降低
成本为程序，数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术支持固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已发生的周期。因此，系统软件
或硬件不必进行修改或降额，这
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/亲编程时间增加
克周期。
为了满足高密度，表面贴装的要求，
SST39LF / VF160提供48引脚TSOP和48球
TFBGA封装。参见图1引脚。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入设备
使用标准的微处理器写入序列。一个COM
普通话写的是WE＃置为低电平，同时保持CE＃
低。地址总线被锁存，WE＃的下降沿
或CE＃，无论最后发生。数据总线被锁存
WE＃或CE＃的上升沿，以先到为准。
产品特点：
•
组织为1M X16
•
单电压读写操作
- 为3.0-3.6V SST39LF160
- 为2.7-3.6V SST39VF160
•
卓越的可靠性
- 耐力：100,000周期（典型值）
- 大于100年的数据保留
•
低功耗
- 工作电流：15 mA（典型值）
- 待机电流：4μA（典型值）
- 自动节能模式：4μA（典型值）
•
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•
快速读取访问时间
- 55纳秒SST39LF160
- 70和90纳秒SST39VF160
•
锁存地址和数据
•
快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间：18 ms（典型值）
- 块擦除时间：18 ms（典型值）
- 芯片擦除时间：70毫秒（典型值）
- 字编程时间：14μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
SST39LF / VF160
•
自动写时序
- 内部VPP生成
•
检测结束写的
- 切换位
- 数据＃投票
•
CMOS I / O兼容性
•
JEDEC标准
- 闪存EEPROM引脚及指令集
•
可用的软件包
- 48引脚TSOP（12×20毫米）
- 48球TFBGA封装（6×8毫米）
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