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L6205D原装现货热销/ST品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/6/12 10:27:06 工作电源电压为8～52V 我5.6A输出峰值电流（2.8A DC）
我RDS（ON）0.3ΩTYP。 VALUE@ TJ= 25°C
我的工作频率高达100kHz
我非耗散过流
保护
我并联运行
我交叉传导保护
我热关断
我欠压锁定
我整合快速续流二极管
典型应用
我双极步进电机
我双核或四直流电机
说明
该L6205是DMOS双路全桥设计
电机控制应用，实现了在MultiPower-
BCD技术，它结合孤立DMOS
功率晶体管与CMOS和双极性电路
在同一块芯片。可在PowerDIP20（16+2+2），
PowerSO20和SO20（16+ 2 +2）包，该
L6205设有的非耗散保护
高压侧功率MOSFETs和热关断。
电路描述
功率级和电荷泵
该L6205集成了两个独立的电源MOS
全桥。每个电源MOS有一个RD-
儿子= 0.3ohm（典型值@ 25°C），具有内在
快速续流二极管。交叉传导保护
使用一个死区时间（TD =1μs的典型值）BE-实现
补间的开关关闭，两个功率MOS开关上
在桥的一条腿。
采用N沟道MOS功率为上层晶体管
在桥器需要高于栅极驱动电压
电源电压。自举（VBOOT）
电源是通过一个内部振荡器和获得
很少的外部元件来实现电荷泵
电路在图3中的振荡器输出如图
（VCP）是一个方波在600kHz的（典型值），10V
幅度。推荐值/部件号
电荷泵电路示于表1。
表1.电荷泵外部元件
值
图3.电荷泵电路
逻辑输入
销IN1A，IN2A，IN1B和IN2B为TTL / CMOS和
μC兼容逻辑输入。的内部结构是
图。为开启4.典型值和关断
门槛
是
分别
Vthon = 1.8V
和
Vthoff = 1.3V。
销ENA和ENB具有相同的输入结构
所不同的是过电流的漏极和
热保护的MOSFET（一为网桥A
和一个用于网桥B）也被连接到这些
销。由于这些连接一些护理需要
应采取的这些管脚驱动。该ENA和ENB IN-
放可以以两种配置为一体来驱动
在图5或6所示。如果由一个开漏驱动
（集电极）结构，上拉电阻REN和一钙
pacitor CEN的连接如图所示。 5.如果
驱动程序是一个标准的推拉式结构的电阻
REN和电容器CEN连接如图所示
图。 6.电阻器，REN应在被选择
从范围到一个2.2kΩ180KΩ。推荐值
为REN和CEN分别为100KΩ和5.6nF。
在选择值的更多信息，发现
过电流保护部分。
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