|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
ADP3110ARZ原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/5/27 10:43:11 概述 该ADP3110是一款双通道，高电压MOSFET驱动器优化
用于驱动两个N沟道MOSFET，这是两种
交换机在非隔离同步降压电源转换器。
各驱动器的可驱动3000 pF负载用的
25 ns传播延迟和30纳秒的过渡时间。中的一个
驱动器可自举而被设计为处理高
浮动高侧栅极驱动器相关的电压摆率。
该ADP3110包括重叠驱动保护，以防止
直通电流在外部MOSFET。
的OD端子关闭两个高侧和低侧
MOSFET，以防止在快速输出电容放电
系统关机。
该ADP3110是规定在商用温度
是提供8引脚SOIC_N范围为0°C至85°C和
包。
产品特点
所有功能于一身的同步降压驱动器
自举高侧驱动器
一个PWM信号产生两个驱动器
Anticross传导保护电路
输出禁用控制关闭两个MOSFET浮动
每英特尔VRM10规范输出
应用
多相台式机CPU用品
单电源同步降压转换器
ESD警告
ESD（静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这种产品的特点
ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，正确的ESD预防措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
操作原理
该ADP3110是驱动优化的双MOSFET驱动器
在同步降压转换器两个N沟道MOSFET
拓扑结构。单个PWM输入信号是要求所有
正常驱动高侧和低侧的MOSFET。每
驱动器能够驱动一个3 nF的负载，速度高达500 kHz的。
在ADP3110和其功能的更详细的说明
如下。请参考图1。
低侧驱动器
低侧驱动器设计用于驱动以地为参考
N沟道MOSFET。偏压到低侧驱动器是
内部连接到VCC电源和地线。
当ADP3110使能时，驱动器的输出是
180度的相位差与PWM输入。当
ADP3110是残疾人，低侧栅极保持为低。
高边驱动器
高侧驱动器，用于驱动一个浮动N沟道
MOSFET。偏置电压的高侧驱动器开发
由外部自举电源电路，其连接
之间的BST和SW引脚。
自举电路包括一个二极管，D1和自举
电容，CBST1。 CBST2和RBST包括减少高
侧的栅极驱动电压，并限制开关节点摆率
（称为引导捕捉™电路，请参见申请
更多细节信息部分）。当ADP3110是
启动SW引脚是在地面;因此引导
电容器充电至VCC通过D1。当PWM
输入端变为高，高边驱动器开始打开高
边MOSFET，Q1，拉出来充和CBST1的CBST2。如
Q1导通，SW引脚上升到VIN，迫使BST引脚来
VIN + VC（BST），这是足够的栅 - 源电压保持Q1
上。以完成循环，Q1由拉动门关闭
到在SW引脚上的电压。当低侧
MOS管Q2导通，SW引脚被拉至地面。此
允许自举电容充电到VCC了。
高侧驱动器的输出是同相的PWM输入。
当司机被禁用，高侧栅极保持为低。
重叠保护电路
重叠保护电路防止两个主电源的
开关Q1和Q2，从正对在同一时间。此
防止直通电流流过两个
电源开关，并且可以发生在相关的损失
其开/关的转换。重叠保护电路
通过自适应地控制来自所述延迟完成这
Q1关闭到Q2导通，并在内部设置
从第二季度延迟关闭到Q1导通。
为了防止在Q1的栅极驱动器的重叠关闭
和Q2导通，重叠电路监控的电压
SW引脚。当PWM输入信号变低时，Q1开始
关闭（传播延迟之后）。在Q2可以打开的
重叠保护电路可确保软件已经先离开
高，然后等待电压在SW引脚从上往下坠落
VIN至1 V.一旦SW引脚上的电压已经下降到1 V，Q2
开始打开。如果SW引脚没走先高，那么
Q2打开由固定150纳秒延迟。通过等待
电压SW引脚达到1 V或为固定的延迟时间，
重叠保护电路，保证了Q1，Q2之前关闭
接通不管温度变化，电源电压上，
输入脉冲宽度，栅极电荷和驱动电流。如果确实SW
后190纳秒不会低于1 V，DRVL打开。可能出现这种情况，如果
流过输出电感器的电流是负的并且是
流经高侧MOSFET的体二极管。
|
|
||||||||