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EP1AGX50DF1152I6N
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AT45DB161D原装现货热销/ATMEL品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/5/23 11:53:12 产品特点 •单2.5V - 3.6V或2.7V - 3.6V电源
•RAPIDS™串行接口:66 MHz最大时钟频率
- SPI兼容模式0和3
•用户可配置的页面大小
- 每页512字节
- 每页528字节
•页编程操作
- 智能编程操作
- 4096页(528分之512字节/页)主内存
•灵活的擦除选项
- 页擦除(512字节)
- 块擦除(4字节)
- 扇区擦除(128字节)
•两个SRAM数据缓冲器(五百二十八分之五百一十二字节)
- 允许数据的接收,同时重新编程闪存阵列
•通过整个阵列连续读取能力
- 理想的代码映射应用程序
•低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25μA待机电流典型
- 9μA深度节能典型
•硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
•部门锁定为安全的代码和数据存储
- 个别部门
•安全性:128字节的安全注册
- 64字节的用户可编程空间
- 独特的64字节设备标识符
•JEDEC标准制造商和设备ID读
•100,000编程/擦除周期每页最低
•数据保留 - 20年
•工业级温度范围
•格林(铅/无卤化物/符合RoHS)封装选项
描述
该AT45DB161D是2.5伏或2.7伏,串行接口顺序存取闪存
内存非常适合于各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和对
数据存储应用。该AT45DB161D支持急流串行接口
应用要求非常高的速度操作。急流串行接口SPI的COM
对于兼容频率高达66 MHz的。它的17301504位的内存被组织成
4096页的512字节或每528个字节。除了主存储器,所述
AT45DB161D还包含每个五百二十八分之五百十二字节的两个SRAM缓存。缓冲区
允许数据的接收,而在主存储器中的页被重新编程,
以及写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真(位或字节alterabil-
性)很容易与一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。
不同于与多个随机访问常规闪速存储器
地址线和并行接口,该数据闪存使用急流串行接口
16兆位
2.5伏或
2.7伏
DataFlash®
AT45DB161D
3500D-DFLASH - 2月6日
2
3500D-DFLASH - 2月6日
AT45DB161D
顺序地访问其数据。简单的顺序访问极大地减少了主动销
算,有利于硬件布局,提高了系统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并
减小封装尺寸。该器件用于许多商业和工业应用优化
阳离子,其中高密度,低引脚数,低电压和低功耗是至关重要的。
为了允许简单的系统重新编程,该AT45DB161D不需要高输入
电压进行编程。该器件采用单电源,2.5V至3.6V或2.7V
到3.6V,同时为程序和读取操作。该AT45DB161D通过启用
片选引脚(CS)和访问通过一个三线接口,包括串行输入的(SI),
串行输出(SO)和串行时钟(SCK)。
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