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LM5100原装现货热销/NS品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/5/20 11:00:04 概述 该LM5100A / B / C和LM5101A / B / C高压栅极
驱动器可同时驱动高侧和
低边N沟道MOSFET的同步降压或
半桥配置。浮动高边驱动器是钙
用电源供电的电压pable高达100V。而“A”
版本提供栅极驱动的完整3A，而“B”和“C”
版本分别为2A和1A。的输出是
与CMOS输入阈值独立控制
（LM5100A / B / C）或TTL输入阈值（LM5101A / B / C）。一个
集成高压二极管被提供给高充电
侧栅极驱动器自举电容。一个强大的电平转换器
以高速操作，同时消耗低功耗和
提供清洁能级跃迁从控制逻辑到
高侧栅极驱动器。欠压锁定功能被设置在
两个低侧和高侧的功率导轨。这些描述
恶习在标准SOIC封装 - 8引脚和LLP
- 10引脚封装。
产品特点
N个驱动器两者的高侧和低侧N沟道
MOSFET的
n个无关的高和低驱动器逻辑输入
ñ自举电源电压高达118V DC
n快传播时间（25 ns典型）
N个驱动器1000pF的负载8 ns的上升和下降时间
●优良的传播延迟匹配（3纳秒典型）
供氮轨欠压锁定
n低功耗
ñ引脚与HIP2100 / HIP2101兼容
典型应用
ñ现任美联储推挽转换器
ñ半桥和全桥电源转换器
进制同步降压转换器
●2个开关正激电源转换器
与有源钳位器ñ前进
包
ñSOIC-8
ÑLLP-10（直径4 mm×4mm）所
绝对最大额定值（注1）
如果军事/航空航天指定的设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
VDD和VSS
-0.3V至+ 18V
HB到HS
-0.3V至+ 18V
李或HI输入
-0.3V至VDD + 0.3V
LO输出
-0.3V至VDD + 0.3V
HO输出
VHS-0.3V至VHB + 0.3V
HS到VSS（注6）
-5V到+ 100V
HB到VSS
118V
结温
+150˚C
存储温度范围
-55℃～+ 150
ESD额定值HBM（注2）
2千伏
推荐工作
条件
VDD
+ 9V至14V +
HS
-1V至100V
HB
VHS + 8V至VHS + 14V
HS摆率
<50 V / NS
结温
-40°C至+ 125°C
电气特性
在标准型的限制是TJ = 25°C只;粗体字体的极限值适用于结点温度（TJ）范围-40℃至
+ 125°C。最小和最大极限值通过测试，设计或统计数据得以保证。典型值代表
仅供参考之用最标准的参数TJ = 25℃，。除非另外指明，VDD =
VHB = 12V，VSS = VHS = 0V，在LO或HO（注4）无负载。
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