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FM24C256-G原装现货热销/RAMTRON品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/5/20 10:44:36 产品特点 256Kbit铁电非易失性RAM
•
组织为32,768×8位
•
高耐用性10亿美元（1010）读/写
•
45年数据保留
•
无延迟™写
•
先进的高可靠性铁电制造工艺
快速两线串行接口
•
高达1 MHz最大总线频率
•
支持传统时序100千赫和400千赫
低功耗运行
•
5V操作
•
200μA工作电流（100千赫）
•
100μA待机电流
行业标准配置
•
工业温度-40°C至+85°C
•
8引脚SOIC EIAJ
•
描述
该FM24C256是一个256千位的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供了可靠的数据保存45年
同时消除了复杂性，开销和
造成系统级可靠性问题
EEPROM和其它非易失性存储器。
该FM24C256执行在写总线操作
速度。没有写入延迟发生。下一班车
循环可立即开始，而不需要
数据轮询。此外，该产品还提供写
级耐力订单高于
EEPROM。此外，FRAM具有低得多的功耗
因为在写操作比写入EEPROM
不需要内部升高电源
电压写入电路。
这些功能使得FM24C256理想
需要频繁非易失性存储器应用
或快速写入。种类繁多，从数据采集
其中，写周期的数量可能是至关重要的，以
苛刻的工业控制，其中长写
EEPROM的时间可能会导致数据丢失。该
特征的组合允许更频繁的数据
写作与系统开销少。
该FM24C256可在一个8引脚SOIC EIAJ
封装采用工业标准的两线制
协议。规格保证在一个
工业温度范围为-40°C至+ 85°C。
概观
该FM24C256是串行FRAM存储器。该
存储阵列在逻辑上组织为32,768×8位
存储器阵列和使用工业访问
标准的两线接口。功能操作
FRAM的类似于串行EEPROM。主要
该FM24C256和一个串行的区别
EEPROM涉及到其优越的写入性能。
内存架构
当访问FM24C256，用户地址
每8个数据位32,768位置。这些数据位
串行移位。 32,768地址
使用两线协议来访问，其中包括
一个从机地址（从其他非区别
存储器设备），以及一个扩展的16位地址。
只有较低的15位用于由解码器，用于
访问存储器。上面的地址位应
能够以更高的密度设置为0的兼容性
设备在未来。
存储器被读或写的速度
两线总线。与EEPROM不同，它不是
要查询设备的就绪状态
因为写发生在总线速度。由时间的新
总线事务可移入部分，写
操作完成。对此进行了更解释
细节在下面的接口部分。
用户可以期待几个明显的系统优势
从FM24C256由于其快速写周期和
与EEPROM相比，高耐力。
不过，也有不太明显的好处。为
例如，在高噪声环境中，快写
操作不太容易滋生腐败比
由于写周期EEPROM被迅速完成。
与此相反，一个EEPROM要求毫秒
写在是太多的周期中容易受到噪声的影响。
注意，FM24C256不包含功率
不是简单的内部其他管理电路
上电复位。这是用户的责任
确保VDD保持数据手册
公差，以防止不正确的操作。
两线接口
所述FM24C256采用双向双线
用几针和小的电路板空间总线协议。
图2示出一个典型的系统配置
使用FM24C256在基于微控制器的
系统。该行业标准的两线总线
熟悉的许多用户，但在本节中描述。
按照惯例，在发送数据到任何设备
总线发送器，而对于目标设备
这个数据是接收器。正在控制设备
总线是主人。该主机负责
产生的时钟信号执行所有操作。任何
正被控制的总线上的设备是从设备。
该FM24C256始终是从属设备。
总线协议是由过渡态的控制
SDA和SCL信号。有四个条件
包括启动，停止，数据位和确认。
图3示出了指定信号条件
这四种状态。详细时序图中示出
在电气规格部分。
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