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VND5E025原装现货热销/ST品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/5/15 11:14:03 输出电流每通道：10A I CMOS兼容输入
我开路检测（OFF状态）
我欠压和过压
ñ关断
我过电压钳位
我热关断
我电流限制
我非常低STAND-BY功率耗散
我保护功能：
地基与氮素损失VCC损失
我反向电池保护（**）
说明
该VNQ690SP是一个单片器件制造
使用|
意法半导体
的VIPower
M0-3
技术，用于驱动电阻或
感性负载与一侧接地。
该装置具有四个独立的通道。内置
在热关机，输出电流限制
保护芯片免受过温度和短路
电路。
GND
保护
网络
反对
电池反接
解决方法1：电阻接地线（仅RGND）。此
可以使用任何类型的负载。
下面是一个指示如何在维
RGND电阻。
1）RGND≤在600mV /（IS（上）最大）。
2）RGND≥（-VCC）/（-IGND）
其中，-IGND是直流反接接地引脚电流，可
中的绝对最大额定值部分找到
器件的数据表。
功耗在RGND（当VCC <0：反转时
电池的情况下）为：
PD =（-VCC）2 / RGND
该电阻之间可以几种不同的共享
HSD。请注意，该电阻的值应
用公式计算（1）凡（上）最大的变
最大导通状态的电流不同的总和
设备。
请注意，如果该微处理器地面不
常见的设备接地然后将RGND
产生位移（IS（上）最大* RGND）在输入阈值
和状态输出值。这种转变将发生变化
取决于有多少设备在接通的情况下，
一些高侧驱动器共享相同的RGND。
如果计算出的功耗导致大的电阻
或几个设备必须共享相同的电阻，然后
将ST提出利用溶液2（见下文）。
解决方法2：在地线二极管（DGND）。
电阻（RGND =1kΩ的）应插入平行
DGND如果该装置将被驱动的电感负载。
这个小信号二极管之间能够安全地共享
几个不同的HSD。此外，在这种情况下，存在
地面网络将产生的移位（j600mV）在
输入阈值和状态输出值，如果
微处理器地面不常见与设备地面。这种转变将不会改变，如果超过一个HSD
共享相同的二极管/电阻网络。
串联电阻输入和状态线路也
以防止这种情况，在电池电压瞬变要求
目前超过绝对最大额定值。
对于未使用的输入和STATUS引脚配置最安全
是离开他们无关。
负载突降保护
DLD是必要的（电压瞬态抑制器），如果
负载突降峰值电压超过VCC最大直流评级。该
同样的情况发生在设备将受上瞬变
VCC线中大于在示出的那些
ISO T / R 7637/1表。
μC的I / O防护：
如果有接地保护网络的使用和消极
短暂存在于VCC线，控制销将
被拉负。 ST表明插入一个电阻（RPROT）
在网上，以防止μC的I / O引脚闩锁。
这些电阻的值之间的一个折衷
μC的漏电流与由所需要的电流
HSD的I / O（输入电平兼容）与所述闩锁限制
μC的I / O操作。
-VCCpeak / Ilatchup≤RPROT≤（VOHμC-VIH-VGND）/ IIHmax
计算示例：
对于VCCpeak = - 100V和Ilatchup≥20毫安; VOHμC≥4.5V
5kΩ的≤RPROT≤65kΩ。
推荐RPROT值是10kΩ。
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