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IRF9310原装现货热销/IR品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/5/8 10:30:24 该HEXFETtechnology的关键在于国际 IR的先进线功率MOSFET晶体管。
有效率的几何和本最新独特的加工
“最先进的”设计实现：非常低通态电阻
tance结合高跨导;再出众
诗能源和二极管恢复dv / dt能力。
该HEXFET晶体管还具有所有的好estab-
MOSFET的lished优点，例如电压控制，
非常快的开关，易于parelleling和温度的
电参数的稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，马达控制，逆变器，砍砸器，音频
放大器和高能量脉冲电路。
脚注：
IR全球总部：233堪萨斯街El Segundo的加州90245，USA电话：（310）252-7105
IR欧洲区域中心：四百四十五分之四百三十九Godstone路，Whyteleafe，萨里CR3 OBL，英国电话：+ 44（0）20 8645 8000
IR加拿大：15林肯法院，安大略省布兰普敦L6T3Z2，电话：（905）453 2200
IR德国：Saalburgstrasse 157，61350巴特洪堡电话：+ 49（0）6172 96590
IR意大利：通过利古里亚49，10071的Borgaro，都灵电话：+ 39 011 451 0111
IR日本：：K＆H栋2楼，30-4西池袋3丁目，丰岛区，东京171电话：81（0）3 3983 0086
IR东南亚：1金星大道，世界城西塔，13-11，新加坡237994电话：+ 65（0）838 4630
IR台湾：16佛罗里达州。 D.套房207秒。 2，屯山楂南道，台北，10673电话：886-（0）2 2377 9936
数据和规格如有更改恕不另行通知。 1/01
➂ISD≤-11A，di / dt的≤-140A /μs的，
VDD≤-100V，TJ≤150℃
建议RG = 7.5Ω
➀重复评级;脉冲宽度有限的
最高结温。
➁VDD = -25V，开始TJ = 25°C，
峰值IL = -11A，
➃脉冲宽度≤300微秒;占空比≤2％
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