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 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
AM29F080B-90EF原装现货热销/AMD品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/4/30 10:04:55 特色鲜明 ■5.0 V±10％，单电源操作
- 最小化系统级电源要求
■在0.32微米工艺技术制造
- 兼容0.5微米Am29F080设备
■高性能
- 存取时间快55纳秒
■低功耗
- 24 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
■灵活的部门架构
- 每个64字节16均匀部门
- 任何部门的结合可以被删除。
- 支持整片擦除
- 集团部门保护：
锁紧机构群体的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门组
临时机构撤消集团允许代码
改变先前锁定行业
■嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
写和在指定地址验证字节
■最低1,000,000次/擦除周期每
部门保证
■20年的数据保存在125°C
- 可靠运行，为系统的寿命
■包装选项
- 40针TSOP
- 44引脚SO
■兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
■数据＃投票和切换位
- 提供了检测程序软件的方法
或擦除周期结束
■就绪/忙＃输出（RY / BY＃）
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成
■擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据
从，或程序数据，一个非擦除扇区，
然后恢复擦除操作
■硬件复位引脚（RESET＃）
- 复位内部状态机读模式
■海量存储命令序列优化
- 不需要解锁周期的具体地址
该Am29F080B是8兆比特，5.0伏，仅闪存存储
ORY组织为1,048,576字节。的8位数据
出现在DQ0-DQ7。该Am29F080B是提供在
40针TSOP和44引脚SO封装。该装置是
设计成在系统编程与标准
系统5.0伏VCC电源。 12.0伏VPP没有重新
quired进行编程或擦除操作。该设备可以
也是在标准EPROM编程器进行编程。
该器件采用AMD的0.32微米制造
工艺技术，并提供所有的功能和苯并
在Am29F080，这是用制造的efits
0.5微米制程技术。
该标准的设备提供的55，70，90访问时间，
和120纳秒，允许高速微处理器到OP-
中心提供全方位无需等待。为了消除总线争用，
该设备已单独的芯片使能（CE＃），写使能
（WE＃），并且输出使能（OE＃）控制。
该设备只需要一个5.0伏电源支持
帘布层为读写功能。内部根儿
被提供用于ated和稳压电压
程序和擦除操作。
该装置是完全指令集兼容
JEDEC单电源闪存标准。 COM的
要求主要使用标写入命令寄存器
达尔德微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到内部状态机是CON组
trols擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存所需的地址和数据
编程和擦除操作。读出的数据
该装置的类似于读取来自其他闪存或
EPROM设备。
设备编程时通过执行程序
命令序列。这将启动嵌入式
程序算法的内部算法，自动
matically倍编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
设备擦除时通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动嵌入式擦除
算法的内部算法，自动
preprograms阵列（如果它尚未被编程）
前执行擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲宽度和
验证适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY＃
销，或通过阅读DQ7（数据＃轮询）和DQ6
（切换）状态位。经过编程或擦除周期有
已经完成，设备已准备好读取阵列数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区
要擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
出厂时被删除。
硬件数据保护措施包括低
VCC检测器，可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用程序和擦除
在MEM-的扇区的任意组合操作
ORY。这可以通过编程设备来实现。
擦除挂起功能允许用户把
擦除搁置任何一段时间内读取数据，
或不选择程序数据，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET＃针终止任何操作
正在进行的内部状态机复位到
读取阵列数据。该RESET＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也要
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该系统可以将器件置于待机
模式。功耗大大降低
此模式。
AMD的闪存技术结合多年的闪存
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本日期生效最高水平
内斯。该装置电擦除内的所有位
通过福勒 - 诺德海姆隧部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
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