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 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
AM29LV800DB-70EC原装现货热销/AMD品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/4/30 9:50:27 下面的文件规定，现由双方高级提供Spansion存储产品 AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范，这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
技术指标的连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果，将记录在
文档修订摘要，其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现，
和变化会注意到在修订概要。
订购零件数连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“MBM”开头的现有零件号。如需订购
这些产品，请只使用本文档中列出的订购零件编号。
更多信息
请联系您当地的AMD或富士通销售办事处关于Spansion公司的更多信息
存储器解决方案。
特色鲜明
■
单电源工作
- 2.7至3.6伏的读写操作
对于电池供电的应用
■
在0.23微米工艺制造
技术
- 兼容0.32微米Am29LV800
设备
■
高性能
- 存取时间快70纳秒
■
超低功耗（典型
在5 MHz的值）
- 200 nA的自动休眠模式电流
- 200 nA的待机模式电流
- 7毫安读取电流
- 15毫安编程/擦除电流
■
灵活的扇区架构
- 一个16字节，两个8字节，1个32字节，并
15 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字，一是16千字，并
15 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
锁定一个部门，以防止硬件方法
内的任何程序或擦除操作
扇形
扇区可以被锁定在系统或经由
编程设备
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
■
解锁绕道程序命令
- 降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令
序列
■
顶部或底部启动块配置
可用的
■
嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法
自动写入和验证数据
指定的地址
■
至少1百万次写循环担保
每个扇区
■
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行，为系统的寿命
■
封装选项
- 48球FBGA
- 48针TSOP
- 44引脚SO
■
符合JEDEC标准的兼容性
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
■
数据＃投票和切换位
- 提供一个检测软件的方法
编程或擦除操作完成
■
就绪/忙＃引脚（RY / BY＃）
- 提供了检测硬件方法
编程或擦除周期完成
■
擦除挂起/擦除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，
或程序数据，一个扇区是没有被
擦除，然后恢复擦除操作
■
硬件复位引脚（RESET＃）
- 硬件的方法来重置设备
阅读阵列数据
该Am29LV800D是8兆比特，3.0伏，只
闪存组织为1,048,576字节或
524,288字。该器件采用48球
FBGA，44引脚SO和48引脚TSOP封装。
欲了解更多信息，请参见出版物
数21536.这个词范围内的数据（X16）
出现在DQ15-DQ0;字节宽的（x8）数据
出现在DQ7-DQ0。只有这个设备需要
一个单一的，3.0伏的VCC电源进行读，
程序，以及擦除操作。标准
EPROM编程也可用于编程
和擦除设备。
该器件采用了AMD的制造0.23
微米工艺技术，并提供所有如果没有这特性
及其良好的AM29LV800B，利益这
采用0.32微米工艺制造技
术。
该标准的设备提供了70访问时间，
90和120纳秒，允许高速微处理器的
处理机无需等待状态运行。为了elim-
inate总线争用该设备具有独立
芯片使能（CE＃），写使能（WE＃）和
输出使能（OE＃）控制。
该装置只需要一个3.0伏
两个电源读写功能
系统蒸发散。内部产生和调节电压
提供了用于编程和擦除年龄
操作。
该设备完全指令集兼容
与JEDEC单电源闪存
标准。命令被写入到
使用标准的微处理器的命令寄存器
处理器写时序。寄存器的内容作为
输入到内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作
系统蒸发散。读出数据的装置的类似
从其它Flash或EPROM设备阅读。
设备编程时通过执行
程序指令序列。这将启动
嵌入式程序算法的内部
算法自动倍方案
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。该
解锁旁路模式有利于更快地亲
通过要求只有两个写编程时间
周期来进行编程的数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式擦除算法的内部algo-
rithm自动preprograms阵列
（如果它尚未被编程）之前exe-
cuting擦除操作。在擦除时，
设备自动倍擦除脉冲
宽度和验证适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个节目
或擦除操作完成后通过观察
RY / BY＃引脚，或通过阅读DQ7（数据＃
轮询）和DQ6（切换）状态位。经过
程序或擦除周期已经完成，该
设备准备好读取阵列数据或接受
另一个命令。
扇区擦除架构允许内存
部门被删除，无需重新编程
影响其他部门的数据内容。该
从出厂时设备完全擦除
工厂。
硬件数据保护措施包括：
低VCC检测器自动抑制
在电源转换写操作。该
硬件扇区保护功能禁用
程序和在任何的COM擦除操作
bination内存部门。这可以是
在系统或通过编程来实现equip-
换货。
擦除挂起功能使用户能够
把擦除搁置任何一段时间来阅读
从数据，或程序数据，任何部门的
不选择擦除。真实背景
擦除因此可以实现。
硬件复位＃引脚任何终止
操作进行中和复位内部
状态机读取阵列数据。该
RESET＃引脚可绑在系统复位西尔
cuitry。系统复位将因此也重置
装置，使系统的微处理器，以
读取从Flash中引导固件
内存。
该器件提供两种省电功能。
当地址已稳定为指定的
的时间，设备进入自动
马蒂奇睡眠模式。该系统还可以将
设备进入待机模式。功率CON-
消耗是在这两个大减
模式。
AMD的闪存技术结合多年的闪存
内存制造经验，生产
的质量，可靠性和成本的最高水平
有效性。该装置电擦除
同时通过一个扇区内的所有位
福勒 - 诺德海姆隧道。数据是亲
编程使用热电子注入。
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