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EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
SST39VF3201-70-4C-EKE原装现货热销/ISSI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/4/30 9:46:55 产品说明 该SST39VF160x / 320x的/设备640×1M是X16,2M
分别X16和X16 4M,CMOS多用途
闪存+(MPF +)与SST专有的制造,
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640×
写(编程或擦除)与2.7-3.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列
X16的回忆。
特色
高
性能
字编程,
该
SST39VF160x / 320x的/设备640×提供了一个典型字
7微秒节目时间。这些器件使用翻转位或
数据#投票,表示已完成计划的操作
化。为了防止意外写,他们对芯片
硬件和软件数据保护方案。
设计,制造,并测试一宽的光谱
应用,这些器件提供有保证
100,000次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
所述SST39VF160x /子320x / 640×装置适合于应用程序
需要的方便和经济升级的阳离子
程序,配置或数据存储器。对于所有系统
应用中,它们显著提高性能和
可靠性,同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程期间ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。消耗的总能量是一
所施加的电压的函数,电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内,则超快闪
技术使用的编程电流更低,并且具有更短
擦除时间,在任何擦除的总能量消耗或
编程操作是低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性,同时降低
成本为程序,数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术支持固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已发生的周期。因此,系统软件
或硬件不必进行修改或降额,这
必要时与其他闪存技术,其
擦除和编程积累次数的增加
擦除/编程周期。
产品特点:
•
组织为1M X16:SST39VF1601 / 1602
2M X16:SST39VF3201 / 3202
4M X16:SST39VF6401 / 6402
•
单电压读写操作
- 2.7-3.6V
•
卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型值)
- 大于100年的数据保留
•
低功耗(在5 MHz的典型值)
- 工作电流:9 mA(典型值)
- 待机电流:3μA(典型值)
- 自动节能模式:3μA(典型值)
•
硬件块保护/ WP#输入引脚
- 顶块保护(顶部32K字)
对于SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二
- 底部块保护(底部32K字)
对于SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一
•
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•
块擦除功能
- 统一32K字块
•
芯片擦除功能
•
擦除暂停/擦除恢复功能
•
硬件复位引脚(RST#)
•
安全ID功能
- SST:128位;用户:128位
•
快速读取访问时间:
- 70纳秒
- 90纳秒
•
锁存地址和数据
•
快速擦除和字编程:
- 扇区擦除时间:18 ms(典型值)
- 块擦除时间:18 ms(典型值)
- 芯片擦除时间:40毫秒(典型值)
- 字编程时间:7μs(典型值)
•
自动写时序
- 内部VPP生成
•
检测结束写的
- 翻转位
- 数据#投票
•
CMOS I / O兼容性
•
JEDEC标准
- 闪存EEPROM引脚及指令集
•
可用的软件包
- 48引脚TSOP(12×20毫米)
- 48球TFBGA封装(6×8毫米)为16M 32M和
- 48球TFBGA封装(采用8mm x 10毫米)的64M
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