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SST39VF3201-70-4C-EKE原装现货热销/ISSI品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间:2015/4/30 9:46:55

 产品说明

该SST39VF160x / 320x的/设备640×1M是X16,2M
分别X16和X16 4M,CMOS多用途
闪存+(MPF +)与SST专有的制造,
高性能CMOS SuperFlash技术。该
分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入
实现更高的可靠性和可制造性比较
与其他方法。该SST39VF160x / 320x的/ 640×
写(编程或擦除)与2.7-3.6V电源。
这些器件符合JEDEC标准引脚排列
X16的回忆。
特色
性能
字编程,
SST39VF160x / 320x的/设备640×提供了一个典型字
7微秒节目时间。这些器件使用翻转位或
数据#投票,表示已完成计划的操作
化。为了防止意外写,他们对芯片
硬件和软件数据保护方案。
设计,制造,并测试一宽的光谱
应用,这些器件提供有保证
100,000次典型的耐力。数据额定保存
在100年以上。
所述SST39VF160x /子320x / 640×装置适合于应用程序
需要的方便和经济升级的阳离子
程序,配置或数据存储器。对于所有系统
应用中,它们显著提高性能和
可靠性,同时降低功耗。他们inher-
擦除和编程期间ently使用更少的能源比替代方案
本机闪存技术。消耗的总能量是一
所施加的电压的函数,电流和的应用时间
化。因为对于任何给定的电压范围内,则超快闪
技术使用的编程电流更低,并且具有更短
擦除时间,在任何擦除的总能量消耗或
编程操作是低于其他闪存技
吉斯。这些器件还可以提高灵活性,同时降低
成本为程序,数据和配置存储应用程序
阳离子。
SuperFlash技术支持固定的擦除和亲
克倍,独立擦除的数量/程序
已发生的周期。因此,系统软件
或硬件不必进行修改或降额,这
必要时与其他闪存技术,其
擦除和编程积累次数的增加
擦除/编程周期。
产品特点:
组织为1M X16:SST39VF1601 / 1602
2M X16:SST39VF3201 / 3202
4M X16:SST39VF6401 / 6402
单电压读写操作
- 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型值)
- 大于100年的数据保留
低功耗(在5 MHz的典型值)
- 工作电流:9 mA(典型值)
- 待机电流:3μA(典型值)
- 自动节能模式:3μA(典型值)
硬件块保护/ WP#输入引脚
- 顶块保护(顶部32K字)
对于SST39VF1602 /六千四百零二分之三千二百零二
- 底部块保护(底部32K字)
对于SST39VF1601 /六千四百〇一分之三千二百〇一
扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
块擦除功能
- 统一32K字块
芯片擦除功能
擦除暂停/擦除恢复功能
硬件复位引脚(RST#)
安全ID功能
- SST:128位;用户:128位
快速读取访问时间:
- 70纳秒
- 90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字编程:
- 扇区擦除时间:18 ms(典型值)
- 块擦除时间:18 ms(典型值)
- 芯片擦除时间:40毫秒(典型值)
- 字编程时间:7μs(典型值)
自动写时序
- 内部VPP生成
检测结束写的
- 翻转位
- 数据#投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM引脚及指令集
可用的软件包
- 48引脚TSOP(12×20毫米)
- 48球TFBGA封装(6×8毫米)为16M 32M和
- 48球TFBGA封装(采用8mm x 10毫米)的64M


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