该SST39VF168x设备是2M X8 CMOS多陈建姿势闪存+（MPF +）制造的SST公司的propri-etary，高性能CMOS SuperFlash技术。该分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿进样器实现更高的可靠性和可制造性比较

与其他方法。该SST39VF168x写（亲克或擦除）与2.7-3.6V电源。这些器件符合JEDEC标准的引脚排列X8 MEM-法制前提。特色高性能字节编程，该SST39VF168x设备提供了一个典型的字节编程7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃Poll-荷兰国际集团表示完成计划操作。要亲TECT防止误写入，他们有片上硬件和软件数据保护方案。设计，制造factured，并测试了广泛的应用范围，这些器件提供有保证的典型endur-ANCE的10万次。数据保存的额定功率为更大超过100年。的SST39VF168x装置适合于应用需要计划的方便和经济的升级，配置或数据存储器。对于所有系统应用，它们显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。他们天生少用

擦除和编程比其他闪存过程中的能源技术。消耗的总能量是的函数所施加的电压，施加电流和时间。因为

对于任何给定的电压范围，SuperFlash技术使用的编程电流更低，具有擦除时间更短，在任何擦除或程序所消耗的总能量操作低于其他闪存技术。这些器件还可以提高灵活性，同时降低成本程序，数据和配置存储应用。SuperFlash技术支持固定的擦除和亲克倍，独立擦除的数量/程序已发生的周期。因此，系统软件或硬件不必进行修改或降额，这必要时与其他闪存技术，其擦除和编程积累次数的增加擦除/编程周期。为了满足高密度，表面贴装的要求，SST39VF168x提供两个48球TFBGA和48引脚TSOP封装。参见图1和2为针

分配。