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IS62WV25616BLL-55TLI原装现货热销/ISSI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/4/28 12:14:39 说明 该ISSI IS62WV25616ALL/ IS62WV25616BLL是高
高速，低功耗，4M位SRAM的组织为256K字
由16位。它是采用ISSI的高性能制
CMOS技术。这加上高度可靠的进程
以创新的电路设计技术，产量高
性能和低功耗设备。
当CS1是高（取消），或者当CS1为低和
双方LB和UB高，器件处于待机
模式在该功耗可以减至
与CMOS输入电平。
易内存扩展是通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。有源低写入启用
（WE）同时控制写入和读出的存储器。一
数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）
访问。
该IS62WV25616ALL/ IS62WV25616BLL被封装在
JEDEC标准44引脚TSOP（II型）和48针
微型BGA（6mmx8mm）。
产品特点
•高速存取时间：55ns，70ns的
•CMOS低功耗运行
36毫瓦（典型值）的操作
9μW（典型值）的CMOS待机
•TTL兼容接口水平
•单电源
1.65V - 2.2V VDD（IS62WV25616ALL）
2.5V - 3.6V VDD（IS62WV25616BLL）
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
•三态输出
•上限和下限字节的数据控制
•工业温度可
•无铅可
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