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EP1AGX50DF1152I6N
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EP1AGX50DF1152I6N
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HY27US08121B-TPCB原装现货热销/HYNIX品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/4/28 12:06:12 说明 海力士HY27(U / S)SXX121M系列是一个家庭的使用NAND单元技术的非易失性闪存。该
器件工作3.3V和1.8V电源电压。一个页面的大小或者是528字节(512 + 16备用)或264词
(256 + 8备用)根据设备是否具有x8或x16总线宽度。
地址线都在一个多路复用x8或x16输入/输出总线复用的数据输入/输出信号。
该接口减少引脚数,并有可能迁移到其它密度而不改变足迹。
每块可以编程和擦除超过10万次。以延长NAND闪存器件的寿命是
强烈建议执行纠错码(ECC)。一个写保护引脚可用来给一个硬
洁具防止编程和擦除操作。
这些器件可用于识别一个开漏就绪/忙输出,如果编程/擦除/读取(PER)
控制器是目前活跃。采用漏极开路输出允许的Ready / Busy引脚从几个回忆
被连接到一个单一的上拉电阻。
A复制返回命令可用于优化缺陷块的管理。当一个页面编程操作
出现故障时,数据可以在另一页,而无需重新发送到被编程的数据进行编程。
该器件可在下列包:
- 48 - TSOP1(12×20×1.2 MM)
- 48 - WSOP1(12×17×0.7mm)的
- 63-FBGA(8.5×15×1.2毫米,6×8球阵列,0.8mm间距)
有三个选项可用于NAND闪存系列:
- 自动页面0读取电后,它允许微控制器直接从下载启动代码
第0页。
- 芯片使能不在乎,这使得代码可以直接下载由微控制器,为芯片使能转换
在等待时间不停止读操作。
- 一个序列号,这使得每个设备被唯一标识。序列号的选项是受保密协议
(保密协议),并因此在数据表没有描述。有关此选项的详细信息请联系您的近
美国东部时间HYNIX销售办事处。
存储器阵列组织
存储器阵列由其中,16个单元串联连接的NAND结构。
该存储器阵列是在写入每个块包含32页。该阵列被分成两个区域,所述
主区和备用区。该阵列的主区域用于存储数据,而备用区,通常使用
存储纠错码,软件标志或坏块识别。
在x8的器件页被分成一个主区域带有两个半页,每页256字节和16字节的备用区。
在x16的器件页被分成256字主区和一个8字备用区。参照图8,记忆
阵列组织。
坏块
NAND快闪存储器528字节/ 264 Word页面设备可能包含坏块,即包含一个或多个块
无效位的可靠性不能保证。额外的坏块可以在设备的寿命期间发展。
坏块信息是现有航运(指坏块管理更多的细节部分)编写的。
示出的值既包括坏块中存在时,该设备被装运和坏块那
可以制定以后。
这些模块需要使用坏块管理,块替换或纠错码进行管理。
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