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EP4SE530F40I3N
EP4SE290H29I2N
EP4SE290F40I2N
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EP4SE680F43I3N
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EP4SE360H29I2N
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EP4SE230F29I2N
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EP4SGX530NF45I2N
EP4SGX530KH40I2N
EP4SGX530HH35I2N
EP4SGX230KF40I2N
EP4SGX230HF35I2N
IR2110原装现货热销/IR品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间:2015/4/24 11:16:26
设计为引导操作浮动通道
充分运作,以+500V或600V+
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
•栅极驱动电压范围从10到20V
•欠压锁定为两个通道
•兼容3.3V逻辑
独立的逻辑电源电压范围在3.3V至20V
逻辑与电源地±5V抵消
•CMOS施密特触发与下拉输入
•逐周期边沿触发关机逻辑
•匹配的传播延迟两个通道
•输出与投入相
该IR2110/ IR2113的高电压,高速功率MOSFET和
IGBT驱动器具有独立的高和低侧参考输出信
NELS。专有HVDC和锁存免疫CMOS技术使
坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容
标准CMOS或TTL输出,下降到3.3V逻辑。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最低
驱动器跨导。传播延迟相匹配,以简化在高频应用中使用。该
浮动通道可用来驱动高侧配置中的N通道功率MOSFET或IGBT这
工作频率高达500或600伏。
热销库存
EP4SE360H2
EP4SE360F4
EP4SE290F3
EP4SE230F2
EP4SE110F2
EP4SGX530N
EP4SGX530K
EP4SGX530H
EP4SGX230K
优势库存
EPF10K50FI
EPF10K50FI
EPF10K500V
EPF10K30AF
EPF10K200S
EPF10K200S
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