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EP1AGX50DF1152I6N
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IRFZ48N原装现货热销/IR品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2015/4/24 11:14:15 先进的工艺技术 升超低导通电阻
l动态的dv/ dt额定值
升175°C工作温度
l快速切换
l全额定雪崩
从国际先进的HEXFET功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
设备的设计,HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知,为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置,用于在多种应用中使用。
该TO-220封装普遍首选的所有
商业工业应用中的功耗
水平,以约50瓦。低热
的TO-220导致电阻和低封装成本
在整个行业中的广泛接受。
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