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IR2108S原装现货热销/IR品牌代理/价格/图片/PDF
发布时间：2015/4/24 11:13:02

设计为引导操作浮动通道

充分运作，以+600V

耐负瞬态电压

的dV / dt免疫

•栅极驱动电压范围从10到20V

•欠压锁定为两个通道

•3.3V，5V和15V输入逻辑兼容

•跨导预防逻辑

•匹配的传播延迟两个通道

•高侧输出同相输入HIN

•低侧输出的相位与LIN输入

•逻辑与电源地+/-5V抵消。

•内部540ns死区时间，

可编程至5us的一个

外部RDT电阻（IR21084）

为更好地•下di / dt的栅极驱动器

噪声抗扰度

•提供无铅

描述

的IR2108（4）（S）的高电压，高速

功率MOSFET和IGBT驱动器与依赖新生

削弱高和低侧参考输出

通道。专有的HVIC和锁存免疫

CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS兼容

或TTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，

最小驱动器跨导。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率MOSFET或

IGBT在工作频率高达600伏的高压侧的配置。

热销库存 EP4SE360H2 EP4SE360F4 EP4SE290F3 EP4SE230F2 EP4SE110F2 EP4SGX530N EP4SGX530K EP4SGX530H EP4SGX230K	优势库存 EPF10K50FI EPF10K50FI EPF10K500V EPF10K30AF EPF10K200S EPF10K200S EPF10K50VB EPM9560ABI EPM8820ABI	热门IC品牌 MICROCHIP TOSHIBA NXP VISHAY INFINEON TI AVAGO ADI ST	关于我们公司简介招聘信息联系我们
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