|
|||||||||||||
| 网站首页 | | | 公司介绍 | | | 库存中心 | | | 品牌中心 | | | 新闻资讯 | | | 在线询价 | | | 联系我们 | |
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| IC库存索引： | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
 最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置：首页 > 新闻资讯 |
 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
IRF1404PBF原装现货热销/IR品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/4/24 11:11:50 先进的工艺技术 ？超低导通电阻
？动态的dv/ dt额定值
？ 175°C工作温度
？快速切换
？全额定雪崩
？汽车合格（Q101）
？无铅
从第七代HEXFET功率MOSFET的
国际整流器采用先进的加工
技术，以实现极低的导通电阻元
硅片面积。这样做的好处，结合快速
开关速度和加固装置的设计，
HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师与一个极其高效和可靠的
装置，用于在各种各样的应用，包括使用
汽车。
该TO-220封装普遍首选的所有
汽车，商业，工业应用的电源
耗散水平到约50瓦。低
热阻和TO-220的低封装成本
有助于在整个行业中的广泛接受。
|
|
||||||||