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 EP1AGX50DF1152I6N EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
S29GL256N10TFI01原装现货热销/SPANSION品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间：2015/4/23 11:08:22 特色鲜明 架构优势
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单电源工作
- 3伏读取，擦除和编程操作
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增强VersatileI / O™控制
- 所有输入电平（地址，控制和DQ输入电平）
和输出由电压VIO输入而定。
VIO的范围是1.65至VCC
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在110纳米的MirrorBit工艺制造
技术
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SecSi™（担保硅）扇形区域
- 128字/ 256字节扇区永久，安全
通过8字/ 16字节的随机识别
电子序列号，通过一个可访问
命令序列
- 可以编程并锁定在工厂或通过
客户
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灵活的扇区架构
- S29GL512N：五百12 64 K字（128
千字节）部门
- S29GL256N：200名56 64 K字（128
千字节）部门
- S29GL128N：百28 64 K字
（128字节）部门
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与JEDEC标准兼容
- 提供单引脚和软件兼容
电源闪光灯，以及优越的无意写
保护
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每个部门的典型100,000次擦除周期
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20年的数据保留的典型
性能特点
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高性能
- 80 ns访问时间（S29GL128N，S29GL256N）
90 ns访问时间（S29GL512N）
- 8字/ 16字节读页缓冲器
- 25纳秒页读取时间
- 16字/ 32字节写入缓冲器整体降低
编程时间多字的更新
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低功耗（3.0 V典型值，5
兆赫）
- 25毫安典型有效的读电流;
- 50毫安典型的擦除/编程电流
- 1μA典型待机模式电流
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封装选项
- 56针TSOP
- 64-ball加固BGA
软件和硬件特性
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软件功能
- 程序挂起和恢复：读其他行业
编程操作完成之前
- 擦除挂起和恢复：读/程序等
擦除操作之前，扇区结束
- 数据＃投票和切换位提供状态
- 解锁绕道程序命令的整体降低
多字或字节编程时间
- CFI（通用闪存接口）兼容：允许主机
系统识别并容纳多个闪光
设备
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硬件特性
- 高级扇区保护
- WP＃/ ACC输入加速编程时间
（高当施加电压时）更大的吞吐量
在系统的生产。保护第一个或最后一个扇区
无论部门保护设置
- 硬件复位输入（RESET＃）复位装置
- 就绪/忙＃输出（RY / BY＃）检测程序或
擦除周期结束
该S29GL512 / 256 / 128N系列器件是3.0V单电源闪存采用110纳米MirrorBit技术制造。该S29GL512N是512兆位，组织为33554432的词或67108864字节。该S29GL256N是256兆位，组织为16777216的词或33554432字节。该S29GL128N是128兆位，组织为8,388,608字或16777216字节。该设备具有一个16位宽的数据总线，还可以通过使用充当8位宽度的数据总线该BYTE＃输入。该设备可以在主机系统或在被编程
标准EPROM编程。访问时间快80纳秒（S29GL128N，S29GL256N）或90纳秒（S29GL512N）是可用的。请注意，每个访问时间具有特定的工作电压范围内（VCC）和I / O电压范围（VIO），作为产品选择指南中指定和订购信息（512 MB）的部分。这些设备在提供56-引脚TSOP或64球加固BGA封装。每个设备都有独立的芯片使能（CE＃），写使能（WE＃）和输出使能（OE＃）控制。每个设备都需要进行读取和只有一个3.0伏电源写功能。除了一个VCC输入，一个高电压加速程序（WP＃/ ACC）输入提供了通过增加电流更短的编程时间租。此功能是为了系统在方便工厂产量生产，但也可以在现场使用，如果需要的。该器件完全指令集与JEDEC兼容单电源闪存标准。命令使用写入设备标准的微处理器写时序。写周期内部也锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。扇区擦除架构允许内存部门被删除，重现编程，而不会影响其他部门的数据内容。该装置是完全出厂时被删除。器件编程和擦除都是通过命令序列启动。一旦编程或擦除操作开始时，主机系统只需要轮询DQ7（数据＃投票）或DQ6（切换）状态位或监视就绪/忙＃（RY / BY＃）输出，以确定该操作是否完成。为了方便编程，一个解锁绕道模式减少命令序列开销通过要求只有两个写周期编程数据，而不是四个。
增强VersatileI / O™（VIO）控制允许主机系统设置电压等级的设备生成并容忍所有的输入电平（地址，芯片控制，和DQ输入电平），以相同的电压电平被置上在VIO引脚。这允许器件在1.8 V或3 V系统运行环境按要求换货。硬件数据保护措施包括低VCC探测器automat-ically在电源转换禁止写操作。持续的行业保护提供系统，指挥功能任意组合的保护化用在VCC单电源供电部门。密码扇区保护防止未经授权的写和界别的任意组合擦除操作通过用户定义的64位的密码。擦除暂停/删除恢复功能允许主机系统暂停擦除操作在给定的扇区读取或编程的任何其他扇区，然后完成擦除操作。该计划暂停/恢复程序fea-TURE使主机系统暂停在一个给定区段到在编程操作阅读其他任何部门，然后完成程序操作。
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