XC4000E相比，XC4000任何XC4000E设备的100％兼容超等效XC4000设备，不仅在功能上，而且还电，并在引脚和配置比特流。所述XC4000E设备具有以下附加功能系统蒸发散，其中大部分是通过在选项调用配置数据流：同步RAM在任何CLB的二个RAM是可以改变的，以同步写操作。在这种同步模式中，内部写操作是由相同的时钟驱动控制触发器。时钟的极性是可编程的的RAM（两个F和G函数发生器一起），而是独立选择的触发器的极性。地址数据，和WE输入由该上升沿或下降沿锁存时钟边沿，和一个短的内部写脉冲生成后时钟沿正确的。这种自定时写操作从而有效边沿触发。读操作不受此变化到同步写入。双端口RAM一个单独的选项转换成16×2内存在任何CLB成一个16×1双端口RAM。在这种模式下，任何操作该写入到F-RAM，也自动写入到G-AM，使用F地址。在G-地址就可以了，因此，不用于写入的G-RAM中。该CLB因此可以用来作为一种非对称的双口的RAM，具有F作为读出地址的F-RAM和写地址为F - 和G-RAM，而G为读出解决对G-RAM上。注意，F和G尚可独立读地址，因为它们是在XC4000。该二个RAM一起具有使用F 1的读/写端口地址，和一个只读端口通过G地址。每个CLB既可以配置成函数发生器异步单端口，同步单端口，或同步双端口。H-函数发生器在XC4000E，轰函数发生器是更通用。其输入可以不仅来自F和G功能发电机也从最多三个控制输入线。