该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET电压参考具有低噪音，高精度和低温度漂移性能。采用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率校正和XFET（额外注入结型场效应管）技术，该电压源ADR43x的电压变化与温度的关系是非线性最小化。该XFET引用以更低的功耗（800μA）操作和供电余量（2 V），比埋齐纳引用。 Buried-

齐纳引用需要超过5 V净空操作。该电压源ADR43x XFET引用是唯一的低噪声解决方案5 V系统。该电压源ADR43x系列有能力提供高达30毫安和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个TRIM终端来调整输出电压在0.5％范围内而不会影响性能。该电压源ADR43x可用在8引脚小型SOIC和8引脚SOIC封装。所有版本都在扩展工业温度TURE范围（-40°C至+125°C）。