|
IC库存索引: | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置:首页 > 新闻资讯 |
EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
Diodes公司的肖特基二极管 使用66%的空间 发布时间:2013/1/25 10:02:36 德克萨斯州普莱诺市 - 2012年10月4日 - Diodes公司(纳斯达克股票代码:DIOD),全球领先的制造商和供应商的高品质的应用程序特定的广泛的分立,逻辑及模拟半导体标准产品市场,今天宣布其第一个肖特基二极管,以提供在微型无铅DFN0603封装。处理切换,反向阻断和整流功能,30V的,0.1A额SDM02U30LP3,满足更高ULTR一个便携设备,包括智能手机和密度的设计要求片。 测量0.62毫米所述0.32毫米所述0.30毫米,DFN0603封装的肖特基少用约66%的电路板空间比业界标准的DFN1006和SOD923的替代品。此外,DF N0603板外轮廓优势DFN1006和SOD923,因为它是25%的稀释剂。为了确保功率损耗最小化和便携式电池寿命最大化,SDM02U30LP3其特征在于由一个非常低的正向电压
0.37V上午特长漏电流仅为7μA。
关于Diodes公司
Diodes公司(纳斯达克股票代码:DIOD),标准普尔小型股600罗素3000指数公司,是一家全球领先的制造商和供应商优质的特殊应用标准产品内广泛的分立,逻辑及模拟半导体市场。二极体服务合作nsumer的电子,电脑,通讯,工业和汽车市场。Diodes的产品包括二极管,整流器,晶体管,MO SFETs,保护设备,特殊功能阵列,单门逻辑,放大器和比较器,霍尔效应传感器和温度传感器,电源管理器件,包括LED驱动器,DC-DC开关和线性稳压器和电压基准以及具有特殊功能的设备,如USB电源开关,负载开关,电压监控程式及马达控制器。本公司的企业2总部,物流中心和美洲的销售办事处位于Plano,得克萨斯州。设计,市场营销和工程中心设在P LANO;圣加州圣荷西,台北,台湾,曼彻斯特,英国和Neuhaus,德国。该公司的晶片制造工厂设在美国密苏里州堪萨斯城,曼彻斯特,与T和生产设施设在上海,中国,在纽豪斯,和两个合资企业设在成都,中国。位于Fort工程,销售,仓库及物流办事处;Worth,德克萨斯州,台北,香港,曼彻斯特和慕尼黑,德国,与支持办事处遍布世界各地。
|
|