德克萨斯州普莱诺市 - 4月18，2012 - Diodes公司（纳斯达克股票代码：DIOD），全球领先的制造商和供应商的高品质的应用程序特定的广泛的分立，逻辑及模拟半导体标准产品市场，今天推出了一系列的高效率N和P-沟道MOSFET低调DFN2020-6封装。随着离板高度仅0.4mm和一个占地面积的4平方毫米，在DFN2020H4的包装DMP2039UFDE4，一个-25V P通道设备，是竞争器件相比，薄了50％。其他的MOSFET该系列中所提供在0.5mm高DFN2020E的包，这是20％厚度比普通0.6毫米高的替代品。针对负载开关应用，还提供了电路的DMP2039UFDE4设计师与3kV的静电放电保护，防止人为传播的。 “新MOSFET的低典型的RDS（ON），例如只是在4.5V的VGS13mΩ-12V的P-沟道DMP1022UFDE，装置还可以最小化传导损耗在电池充电的应用程序。为20V的N-通道DMN2013UFDE的是一个理想的负载开关或高速开关DC / DC降压和升压转换器，并再次提供了一个高2kV的ESD防护等级。的工作在VDS的60V，DMN6040UFDE是其中一个第一DFN2020封装，适合在高电压MOSFET被引入小外形的工业和HVAC控制。特别适合于超轻薄便携的产品设计，如智能手机，平板电脑和数码相机，在最初的9系列的MOSFET由-12V，-20V，-25V和-40V的P-信道和12V，20V和60V的N沟道份。