特点
•单2.5V或2.7V至3.6V电源
•急流城串行接口：66MHz的最大时钟频率
- SPI兼容模式0和3
•用户可配置的页面大小
- 256字节每页
- 264字节每页
- 页面大小可以在工厂预先配置为256字节
•页编程操作
- 智能编程操作
- 4096网页（256/264-Bytes/Page）主内存
•灵活的擦除选项
- 页擦除（256字节）
- 块擦除（2千字节）
- 扇区擦除（64千字节）
- 芯片擦除了8Mbits
•两个SRAM数据缓冲区（256-/264-Bytes）
- 允许接收的数据，同时重新编程闪存阵列
•通过整个阵列的连续读能力
- 代码映射应用程序的理想选择
•低功耗
- 7毫安有效的读电流典型值
- 25μA典型待机电流
- 典型15μA的深度掉电
•硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
•安全的代码和数据存储扇区锁定
- 个别部门
•安全性：128字节的安全注册
- 64字节用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
•JEDEC标准制造商和设备ID阅读
•100,000编程/擦除周期的最低每页
•数据保存期 - 20年
Atmel的
®
AT45DB081D是2.5V或2.7V，串行接口闪存
非常适合用于各种各样的数字语音，图像，程序代码和数据存储年龄应用。 AT45DB081D支持Atmel急流城
™
串行接口，用于
要求非常高的速度运行的应用程序。 RAPIDS SPI串行接口是COM兼容的频率高达66MHz。 8650752 - 位存储器被组织成
4096256字节或264字节的页的每个。除了主存储器，
AT45DB081D还包含两个SRAM缓冲区的256-/264-bytes每个。该缓冲器
允许接收的数据，同时主内存中的页面重新编程，
以及作为写入一个连续的数据流。 EEPROM仿真（位或字节alterabil性的）是一个自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作可以轻松处理。
不同于传统的快闪记忆体，随机访问多个地址线和一个并行接口，爱特梅尔
的DataFlash
使用Atmel公司的急流
串行
接口顺序地访问其数据。简单的顺序访问，大大降低了
积极的引脚数，方便了硬件的布局，提高了系统的可靠性，最大限度地降低开关
噪声和减小封装尺寸。该器件经过优化，使用在许多商业和
高密度，低引脚数，低电压和低功耗的工业应用
至关重要的。
为了让简单的系统内可编程，Atmel的，AT45DB081D不要求高
进行编程的输入电压。该器件工作于2.5V至3.6V单电源供电，
或2.7V至3.6V的编程和读取操作。 AT45DB081D则可以通过
片选引脚（CS）和访问通过一个三线的接口，包括串行输入
（SI），串行输出（SO）和串行时钟（SCK）。
所有的编程和擦除周期是自定时的。