该ADR291和ADR292均为低噪声，微功率使用一个XFET®基准电路高精度电压参考。新XFET架构提供显著的性能改进了传统的带隙和嵌入式齐纳二极管基于引用。这些改进包括四分之一的电压的带隙参考噪声输出在同一操作目前，非常低，超线性温度漂移，低导热滞后，以及优异的长期稳定性。该ADR29x系列是一系列的电压基准提供从用品低至稳定和准确的输出电压2.8 V的ADR291。输出电压选项2.5 V和4.096 V的ADR291和ADR292分别。静态电流仅为12μA，使这些器件非常适用于电池供电的仪器仪表。三电气成绩±2毫伏，±3毫伏可提供初始输出精度，和±6 mV（最大值）的ADR291和±3毫伏，±4 mV时，和±6 mV（最大值）的ADR292。温度系数为三个等级是为8ppm/℃，为15ppm /℃，并且为25ppm/°C（最大值），分别为。线路调整率和负载监管通常是30 PPM/ V和30 PPM /毫安，维护参考的整体高性能。对于5.0 V设备输出，请参考ADR293数据表。该ADR291和ADR292参考指定在扩展工业级温度范围为-40°C至+125°C。器件采用8引脚SOIC，8引脚TSSOP封装，并3引脚TO-92封装。