|
IC库存索引: | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置:首页 > 新闻资讯 |
EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
ADG719BRTZ原装现货热销/ADI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2014/11/24 10:24:52 概述 该ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷开关。此开关设计上的亚微米工艺,可提供低功耗功耗高开关速度,低导通电阻和低泄漏电流。该ADG719可以从+1.8 V单电源范围内工作至+5.5 V,因此非常适合电池供电的仪器使用与新一代的模拟DAC和ADC设备。该ADG719的每个开关导电性能相同,在这两个二rections时。该ADG719展品突破前先开关动作。因为高级亚微米工艺,-3分贝带宽大于200兆赫,可实现的。该ADG719是采用6引脚SOT-23封装和8引脚μSOIC封装。
产品聚焦
1.+1.8 V至+5.5 V单电源供电。该ADG719提供高性能,包括低导通电阻和快速开关时间和充分指定,并保证与+3 V和+5 V电源轨。
2.非常低RON(4Ω最大为5 V,10Ω最大为3 V)。在1.8 V操作,RON是在整个温度范围一般为40Ω。
3.导通电阻平坦度(RFLAT(ON))(0.75Ω典型值)。
4.-3 dB带宽>200 MHz的。
5.低功耗。 CMOS构造可确保低
功耗。
6.快速吨/吨OFF。
7.微小的6引脚SOT-23和8引脚μSOIC封装。
特点
+ 1.8V至+ 5.5V单电源供电
4 V(最大)导通电阻
0.75 V(典型值)导通电阻平坦度
-3 dB带宽>200兆赫
轨到轨操作
6引脚SOT-23封装,8引脚封装mSOIC
快速开关时间
的tON
20纳秒
tOFF的6纳秒
典型功耗(<0.01毫瓦)
TTL/ CMOS兼容
应用
电池供电系统
通信系统
采样保持系统
音频信号路由
视频切换
机械干簧继电器更换
|
|