该IR2103（S）为高电压，高转速动力 MOSFET和IGBT驱动器与相关的高与低 侧参考输出通道。专有的HVIC和 锁存免疫CMOS技术使坚固耐用 单片式结构。逻辑输入兼容 标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲 级，最低驱动器跨导。浮置沟道，可以用来驱动一个N沟道 在工作频率高达600伏的高压侧配置功率MOSFET或IGBT。