该ADG1219是含有一个单片的iCMOS器件 单刀双掷开关。一个EN输入用于启用或禁用 设备。禁用时，所有通道都被关闭。当打开时， 每个通道进行同样的两个方向，并具有 延伸到供应的输入信号范围。每个开关 

展品打破-before-make开关动作。 该iCMOS（工业CMOS）模块化制造 工艺结合高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）和双极技术。它使 范围广泛的高性能模拟集成电路发展 能够在一个足迹33 V操作，没有其他代 

高电压部分已经能够实现。不像模拟IC 采用传统CMOS工艺，iCMOS工艺组件可以 承受高电源电压，同时还能提升性能，大幅降低功耗，并减少 封装尺寸。 具有超低电容和极低的电荷注入 这些多路复用使其成为理想的数据解决方案 采集和采样保持应用中，低干扰 和快速建立是必需的。图2表明，有 最低的电荷注入的整个信号范围 设备。 iCMOS工艺建设也确保了超低功耗 耗散，使得非常适合于便携式的部件和 电池供电的仪器。