|
IC库存索引: | A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
最新IC库存 |
新闻资讯 |
当前位置:首页 > 新闻资讯 |
EP1AGX50DF1152I6N
EP1AGX35DF780I6N EP1AGX50CF484C6N EP1AGX50DF1152C6N EP2AGX125EF29I6N EP2AGX95EF35I6N EP2A40B724I9N EP2A40F1020I8N EP2A40F672I8N EP2A25F672I8N EP2A25B724I7N EP2A15FF672I8N EP2A15B724I7N EP2A15F672I8N EP2AGX95EF35C6N EP2AGX125EF35C5N EP2A40B724C9N EP2A40F1020C8N EP2A40F672C8N EP2A25F672C8N EP2A25B724C7N EP2A15FF672C8N EP2A15B724C7N EP2A15F672C8N EP4SE530F40I3N EP4SE290H29I2N EP4SE290F40I2N EP4SE680H35I3N EP4SE680F43I3N EP4SE680F40I3N EP4SE360H29I2N EP4SE360F40I2N EP4SE290F35I2N EP4SE230F29I2N EP4SE110F29I2N EP4SGX530NF45I2N EP4SGX530KH40I2N EP4SGX530HH35I2N EP4SGX230KF40I2N EP4SGX230HF35I2N |
CY7C1021B-15ZI原装现货热销/CYPRESS品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2014/6/19 10:04:55 功能描述 [1] 该CY7C1021B/10211B是一种高性能CMOS静态 RAM的16位组织为65,536字。该装置具有
自动断电功能,显著降低 功耗时取消。 记录到设备是通过采取芯片使能 (CE)和写使能(WE)输入低电平。如果启用低字节 (BLE)为低,然后从I / O引脚的数据(I/O1 通过I/O8 ),是 写入的地址引脚(A0指定的位置 通过A15 )。如果高位字节启用(BHE)低,则数据 从I / O引脚(I/O9 通过I/O16 )被写入的位置
在地址引脚(A0指定 通过A15 )。 从设备读数是通过采取芯片完成 使能(CE)和输出使能(OE)低,而迫使 写使能(WE)高。如果启用低字节(BLE)为低, 然后从由地址指定的存储器位置的数据 引脚将出现在I/O1 到I/O8 。如果高位字节启用(BHE)是 低,然后从内存中的数据将出现在I/O9 到I/O16 。看 在此数据表背面的真值表一个完整的 读写模式的描述。 输入/输出引脚(I/O1 通过I/O16 )被放置在一个 高阻抗状态时,该设备是取消(CE 高),输出为残疾人(OE高),BHE的和BLE 被禁用(BHE,BLE高),或者在写操作(CE 低,和WE低)。 该CY7C1021B/10211B可在标准的44针 TSOP II型和400密耳宽SOJ包。客户
订购零件时,应使用部件号CY7C10211B 与10 ns的TAA和CY7C1021B订购12时 - 和15-ns的 TAA。
产品特点
•温度范围
- 商业:0°C至70°C
- 工业级:-40°C至85°C
- 汽车:-40°C至125°C
•高速
- TAA=10纳秒(商业和工业)
- TAA=15纳秒(汽车)
•CMOS最佳速度/功率
•低有功功率
- 825 mW(最大)
•自动断电时取消
上下位•独立控制
•可在44脚TSOP II和400密耳SOJ
•铅(pb)产品44针TSOP II也可
|
|