该ADG779是一款单芯片CMOS SPDT （单刀，双掷）开关。此开关被设计在亚微米工艺，具有低功耗，

高开关速度，低导通电阻和低泄漏电流。该ADG779从1.8 V单电源范围内工作至5.5 V ，因此非常适合于电池供电的仪器的使用，并与新一代的DAC和ADCADI公司。该ADG779的各开关进行同样的两个方向上时。该ADG779展品打破前先开关动作。由于先进的亚微米工艺， -3 dB带宽大于200兆赫可以实现的。该ADG779是采用6引脚SC70封装。

产品亮点

1 ，小巧的6引脚SC70封装。

2， 1.8 V至5.5 V单电源供电。该ADG779提供高的性能，包括低导通电阻和快速的切换时间，并且完全指定，并保证3 V和5 V电源轨。

3 。非常低RON （ 5 Ω最大在5 V ， 10 Ω最大在3 V） 。在1.8 V操作， RON通常为40 Ω的温度范围内。

4，导通电阻平坦度（ RFLAT （开）） （ 0.75 Ω典型值） 。

5， -3 dB带宽> 200 MHz的。

6，低功耗。 CMOS结构确保了低功耗。

7 14 ns开关时间。