该ADG1419是包含一个单片的iCMOS ®设备单刀双掷（SPDT ）开关。一个EN输入，LFCSP封装用于启用或禁用该设备。何时禁用时，所有通道都被关闭。该iCMOS（工业CMOS ）模块化制造工艺结合了高电压，互补金属氧化物半导体（ CMOS ）和双极技术。它使开发广泛的33 V能够高性能模拟集成电路在足迹的作，没有其他代高压部分已经实现。与采用传统CMOS模拟IC过程， iCMOS工艺组件可以容忍高电压同时还能提升性能，大幅降低功率消耗，并减小封装尺寸。导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入范围确保出色的线性度和低失真时，切换音频信号。该iCMOS工艺结构确保超低功耗，使得部分非常适合便携式和电池供电的仪器。每个开关进行同样在两个方向上时，并具有延伸到供应的输入信号范围。在关闭状态，信号水平，直至物资被封锁。该ADG1419展品突破前先开关动作的使用在多路复用应用。

产品亮点

1 。 2.4 Ω最大导通电阻为25 °C。

2 ，最小的失真。3 3 V逻辑兼容数字输入： VINH = 2.0 V ， VINL = 0.8 V。要求4 。无VL逻辑电源。

5， 8引脚MSOP和8引脚3 mm ×2 mm LFCSP封装包。