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EP1AGX50DF1152I6N
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IS62WV51216BLL-55TLI原装现货热销!ISSI品牌代理/价格/图片/PDF 发布时间:2014/4/23 9:57:15 说明 该ISSI IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL是高速,16组织为512K字8M位静态RAM 位。该器件使用ISSI的高性能CMOS制造 技术。这再加上创新的高度可靠的进程 电路设计技术,产量高的性能和低 电力消耗装置。 当CS1为高(取消),或当CS2是低 (取消),或者当CS1为低,CS2为高,两者的LB 和UB是高电平时,器件处于待机模式 其功耗可与CMOS降至 输入电平。 易内存扩展是通过使用芯片使能提供 和输出使能输入。该低电平有效写使能 (WE)控制写入和读取的内存。数据 字节允许高字节(UB)和低字节(LB)访问。 该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL打包 在JEDEC标准48-pin迷你BGA(7.2毫米x8.7毫米) 和44-pin TSOP(II型)。
特点
•高速存取时间:为45ns,55ns
•CMOS低功耗运行
- 36 mW(典型)操作
- 12μW(典型)CMOS待机
•TTL兼容接口电平
•单电源
- 1.65V - 2.2V VDD(62WV51216ALL)
- 2.5V - 3.6V VDD(62WV51216BLL)
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•针对字节和低字节数据控制
•提供工业温度
•无铅可用
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