该ISSI IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL是高速，16组织为512K字8M位静态RAM 位。该器件使用ISSI的高性能CMOS制造 技术。这再加上创新的高度可靠的进程 电路设计技术，产量高的性能和低 电力消耗装置。 当CS1为高（取消），或当CS2是低 （取消），或者当CS1为低，CS2为高，两者的LB 和UB是高电平时，器件处于待机模式 其功耗可与CMOS降至 输入电平。 易内存扩展是通过使用芯片使能提供 和输出使能输入。该低电平有效写使能 （WE）控制写入和读取的内存。数据 字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。 该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL打包 在JEDEC标准48-pin迷你BGA（7.2毫米x8.7毫米） 和44-pin TSOP（II型）。