该IR2103（S）的高电压，高转速动力 MOSFET和IGBT驱动器与依赖高 低侧参考输出通道。专有HVIC 

和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。逻辑输入 与标准CMOS或LSTTL输出兼容， 下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高 脉冲电流缓冲级，最低驱动器交叉传导。浮置沟道，可用于 驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT可在高达600伏的高侧配置。