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EN39LV010原装现货热销/代理品牌/价格/图片/pdf 发布时间：2014/4/21 11:58:28 特点 •单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压范围： 3.0-3.6伏读
并写出高性能的操作
3.3伏的微处理器。
•高性能
- 全电压范围：存取时间快70
NS
- 稳压范围：以最快的速度访问时间
如为45ns
•低功耗（典型值在5
兆赫）
- 8 mA典型有效的读电流
- 16 mA典型的程序/擦除电流
- 1 μA典型待机电流（标准访问
时间为主动模式）
•灵活的部门架构：
- 三十二个4字节扇区
•扇区保护：
部门，以防止硬件锁定
程序或在单独的擦除操作
行业
•高性能编程/擦除速度
- 字节编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 90毫秒典型
• JEDEC标准编程和擦除
命令
• JEDEC标准数据查询和切换bits
特点
•单一部门和芯片擦除
•嵌入式擦除和编程算法
•擦除挂起/恢复模式：
在读取或设置另一个部门
擦除挂起模式
•三金属双聚三阱CMOS闪存
技术
•低Vcc写抑制< 2.5V
•最低100K编程/擦除耐力
周期
•包装选项
- 4毫米×6毫米34球WFBGA
- 8毫米毫米x 14毫米32引脚TSOP （类型1 ）
- 32引脚PLCC
•工业级温度范围
概述
该EN39LV010是1兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体， 组织为131,072字节。任何字节通常可以在8μs.TheEN39LV010进行编程 特点3.0V电压阅读和快速写操作，与存取时间为45ns，以消除 需要在高性能微处理器系统等待状态。 该EN39LV010有独立的输出使能（OE），芯片使能（CE）和写使能（WE） 控制，这消除总线争用问题。该设备被设计为允许任何单一部门 或整片擦除操作，每个部门可以单独保护，以防止编程/擦除 操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的 100K编程/擦除每个部门的周期。
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