多门pHEMT制建模开关应用 - 新闻资讯 - 深圳市安盛创科技有限公司

抽象---多栅PHEMT的是在广泛使用的一种用于无线通信的pHEMT开关电路应用，由于其规模优势。直观

引言

在前端模块开关处于关键部件现代无线通信，特别是在3G和4G产品。多栅器件，如三或双门PHEMT的常用出更多从有限的区域的表现。在某些设计中，五个7 ，甚至11门PHEMT的是还发现。该多门PHEMT的优点包括较低的芯片面积占用和比单更低的插入损耗门开关具有相同的门号。与前馈电容，谐波和高驱动失真功率可以很大，即使有低控制减少电压。然而，建模的多栅极FET开关是一个具有挑战性的任务。失真，如在高次谐波

输入功率，是很难预测的。 [1 ，2]的建模过程中涉及到几个关键问题。首先，将内部相邻的门之间的通道节点和浮动他们的潜能无法确定，除非所有泄漏和他们的分区被精确建模。第二，在下面夹断，产生非线性源

在关闭状态失真是一个电容的一个函数电压和色散参数。此外，还有关于外在沟道电阻等问题。该分析，表征方法和建模方法包括泄漏，扩散和外部寄生，因而出现复杂化。我们已经报道大多是单门开关相关的建模工作

设备。 [ 2,3,4 ]对于多门pHEMT制模式，虽然我们使用的每个单栅器件的核心模型多栅器件的单独的门，更注的是下面和附近的泄漏和CV依赖支付夹断。 [ 2,4-6 ]考虑为多栅极因素

设备列如下：

•门的泄漏，漏/源和漏之间漏源和它们的分区;

•栅极电容诗句电压和分散效果;

•另外表征和建模单独的门泄漏和CV特性。该漏洞和门CV特性可以是不同的栅结对从该源极/漏极的侧面上的信道的侧。

•分布式模型的寄生电阻。本质上开关FET是由于其大尺寸的三维器件。这是对国家器件建模非常重要。通道电阻•最大电流限制。

不像MOS器件， PHEMT的访问电阻与运营商的供应能力有限。我们有模型具有最大电流的沟道电阻限制。这原来是建模过程中是重要的电源崩溃导通状态PHEMT的。

•通过外在流动的电流所带来的分散效果

通过沟道电阻。

我们已经开发了Skyworks的pHEMT制模式开关应用[2]。该模型具有许多功能包括全面和分布式外在模型。核心模式已经被报道。 [5]在本文中，我们将讨论几个建模问题多栅FET建模。我们的新模型满足所有挑战上面列出，并已被纳入

公司PDK的广告和Cadence公司。

二。 COMPROHENSIVE多栅PHEMT器件模型

三栅极的pHEMT包括的等效电路

固有FETs和外在寄生示于图1。

在该图中， TG1和TG3具有场效应晶体管由边缘形成的栅极结，而TG2是由中央门形成一个场效应管。

两个方程为基础的线性SDD的访问元素，SP_Rd_Ld和SP_Rs_Ls分布元素模型接入电阻，卢比/ Rd和金属电感LD / LS 。非线性方程为基础的SDD元素Rgg1和Rgg2帐户的栅极到栅极的沟道电阻是有一个限制设定为最大通道电流。其他寄生电容是： Cds_ext作为电极漏源电容， Cdsi1/Cdsi2/Cdsi3作为内在DS

通过经由空气单独的门， Cgg1和Cgg2作为耦合栅极到栅极电容的沟道电容耦合和Cds_ext/Cgg1 / Cgg2/Ls/Ld其他接入这是由EM仿真或拟物建模生成的元素。 CG1 ， CG2和CG3是台面面积，可以是外寄生gateto地电容。