该IR2104（S）的高电压，高转速动力 MOSFET和IGBT驱动器与相关的高与低 侧参考输出通道。专有HVIC和 

锁存免疫CMOS技术使坚固耐用 单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器交叉传导。该 浮动通道可以用来驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT的 工作在10到600伏。