UPD5902T7K SPDT是理想的多模3G/4G/LTE手机，毫微微小区，RFID和任何RF应用要求高功率处理单刀双掷开关

加利福尼亚州圣克拉拉 - 2012年10月19日 - 瑞萨电子和加州东部实验室（ CEL ）现在是在生产与新型CMOS大功率单刀双掷开关IC，该UPD5902T7K 。

主要特点

该UPD5902T7K开关IC工作到6GHz和手柄+35 dBm的RF输入功率，低插入损耗，高线性度，低谐波;全部采用低电压操作和高ESD免疫力，在低高度2mm封装交付。内置的逻辑控制器允许用户控制该SPDT与只有一个低电压（低至1.3V）控制线。阻塞电容器不需要与此CMOS SPDT，进一步简化了设计并降低电路的尺寸和

BOM成本。高ESD抗扰性（ 1.2KV HBM ） ，使客户能够简化他们的ESD保护电路。技术信息

工作频率： 0.05～ 6.0GHz

低控制电压： 1.3V ， VDD = 2.3V （最小值）

插入损耗： 0.40分贝为1GHz， 0.5分贝在2GHz

隔离： 35分贝为1GHz ，30dB的在2GHz

包装类型： 12引脚塑料QFN封装， 2.0 ×2.0× 0.6毫米