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IXYS集成电路事业部提供了新的双IGBT栅极驱动器 IX2204 发布时间:2014/4/4 10:48:12 富康,马萨诸塞州,美国 - 2014年3月25日 - IXYS集成电路事业部( ICD ) , (纳斯达克股票代码: IXYS ) ,公布了IX2204双IGBT栅极驱动器的可用性。该IX2204具有两个高电流输出,每个有能力采购2A和4A下沉的。在IXYS ICD对绝缘体(SOI )工艺先进BCDMOS硅制造的, IX2204输出具有-10V至+26 V的宽工作电压范围负栅极驱动能力,可用于确保关断大功率IGBT的。该输出可以并联用于需要较高的驱动电流IGBT的门。该IX2204是非常强大,几乎不受电压瞬变是常见的高功率应用。 该IX2204能随时提供+18 V至+20 V的导通和- 2V到5V关闭很多的SiC功率MOSFET所需的驱动电压。
一个饱和检测电路在过流或短路情况下保护大功率IGBT 。如果饱和度被检测到, IX2204关闭电源的IGBT在受控的两电平的方式,可以防止过度的di / dt的感应电压瞬变。欠压锁定(UVLO )电路保护IGBT的栅极电压不足。一个故障输出信号A饱和或UVLO事件。
该IX2204具有TTL兼容输入,额定工作在-40 ° C至+125 °C的工作温度范围应用范围包括IGBT的开关,马达控制和开关模式电源的IX2204是采用16引线耐热增强型SOIC封装。
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