该PM128L08是128位×8 E²宏观逻辑是基于成吉思'专利的单聚PMOS2T，1CG电池技术设计。制造过程是高度逻辑过程以最小的3层金属，1P3M兼容。 p沟道细胞，扰乱自由阵列设计提供比其他单保利E²逻辑解决方案，更好的可靠性和制造。它也旨在实现极低的功耗，操作电流敏感的应用。