2005年2月18日：台北，台湾 - 常忆科技股份有限公司（ PFLASH ， P沟道快闪记忆体（ PFLASH ）技术的领先供应商，今天宣布，联华电子（NYSE ： UMC ），全球领先的半导体代工厂，提供其0.35和0.25微米嵌入式闪存工艺铸造厂合并PFLASH的嵌入式闪存技术。

 

利用嵌入式闪存产品非常适合应用在高性能，嵌入式系统级芯片（ SoC）设计针对大批量ASIC开发应用，从数字消费电子产品，通信设备，汽车，网络个人计算系统。

 

胡国强，联电的首席执行官说， “联华电子致力于提供关键的附加价值的技术，以帮助我们的客户实现他们的业务目标。 PFLASH的第二代嵌入式闪存技术与我们的嵌入式闪存半导体工艺开发，以帮助SoC设计人员增加ASIC产品的特点，加快开发周期，降低成本。我们很高兴能够提供这一技术为我们的客户带来的好处。 “

 

王立德， PFLASH的总裁兼首席执行官说， “在不到三年的时间， PFLASH已成功移植两代我们的嵌入式闪存技术的联电，我们非常高兴的是，联电将继续使用PFLASH作为一个有利的技术，并利用其优越的耐用性和便携性的敏捷其嵌入式闪存晶圆代工的过程。

 

2004年， PFLASH发布的嵌入式OTP ， MTP ，EEPROM和闪存解决方案的统一pFusion平台ASIC的行业。 PFLASH提供最小的闪存单元尺寸在0.25微米世代铸造技术。

 

产品供货

PFLASH的嵌入式pFusion技术可在联电0.35和0.25微米工艺今天。如需进一步信息，请联系联电了解详情。