该ALD210800A / ALD210800精密n沟道MOSFET阵列具有零阈值电压和建立行业标准的正向跨导和输出电导，允许每个MOSFET被定性不同的输入和输出要求，并通过高达50％减少了占地面积。匹配对数组给电路设计人员能够灵活地开发新一代能量收集系统和人前所未有的低功耗移动设备。设计人员可以使用多个级联阶段构建电路，并建立一个纳安级输入放大级在<0.2 V电源电压的一个新的行业的低运作。该MOSFET可以帮助减少电池数量的移动设备，提高能源利用效率和电池寿命的医疗设备，并扩展经营范围为能量收集系统。  匹配的一对MOSFET具有零栅极阈值电压VGS（TH）设置恰恰在+0.00 V±0.01 V和VOS为2 mV和10 mV最大。该装置的精度参数使<100 mV最小。工作电压，<1-nA的最小。工作电流，和<1-NW最小。操作电源。MOSFET的目标了一系列的模拟应用，包括电流镜，匹配电路，电流源，差分放大器的输入级，传输门和多路复用器。他们也适合有限的工作电压应用，如非常低的水平电压钳位和常在纳安级电路。它们可以用于在+0.1 V至+10 V的开关和放大应用（±0.05至±5 V）供电系统。（联系公司的价格和可用性。）