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超级电容器自动平衡MOSFET阵列控制和平衡过电压接近零泄漏
发布时间：2014/2/11 10:23:09
精密SAB™MOSFET阵列更低的成本，减少空间和提高效率为工业，交通运输，移动和能量收集应用
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| 加州桑尼维尔2013年11月19日-先进的线性器件公司（ALD），一个设计创新的领导者模拟半导体，今天宣布了一项家庭超级电容器自动平衡（SAB）的MOSFET，以提供自动激活的泄漏电流调节和自我平衡的超级电容器，串联在堆栈中。对于电路设计在汽车电池，工业发动机，移动或能量收集应用，ALD的SAB MOSFET阵列同时消除过充和过度的功率损耗保持超级电容和电池组件的使用寿命。可在这两个四核和双包，ALD8100xx/ALD9100xx SAB的MOSFET ，与ALD的精密EPAD提出®技术，提供了一个更好的选择基于无源电阻器或运算放大器，其中因线性电流在所有电压等级不断作出贡献功耗等自动平衡计划。另外，SAB的MOSFET更低的成本和功率消耗，减少电路板空间。在串联连接的超级电容器漏电的差异，难以控制各个电压。这会导致一个或多个超级电容器超过其额定电压随着时间的推移，它通过破裂寿命降低，并导致灾难性的故障。该ALD8100xx/ALD9100xx SAB MOSFET系列提供不同的阈值电压为各种超级电容器的额定电压值和所需的泄漏平衡特性。通过增加漏电流指数地，当电压增加，并且通过减小漏电流指数地，当电压下降时，MOSFET阵列调节两端的电压超级电容器电池。“每个超级电容器单元都有一个明确的最大设定电压。然而，当两个或更多个串联连接的，它变得难以控制每个电池单元的泄漏，从而导致电压不平衡，导致一个或多个细胞快速降解，“鲍勃超，ALD的总统。“一个超级电容器或以上的稳定退化将导致他们达到一个故障点。SAB MOSFET的内在气质，非常适合以平衡超级电容器，并防止过 高电压的损害。“ ALD SAB MOSFET具有独特的电气特性为主动连续漏电流调节和堆叠串联的超级电容器的自我平衡。此外，他们的目的是接近零泄漏电流消散，消除了额外的功耗。超级电容器技术得到的，因为延长了使用寿命，并通过提高可靠性，降低电池成本的能力牵引运输行业。在移动应用超级电容器也可以调节峰值电压，大大提高了通话时间。市场对超级电容器可根据预测由勒克斯研究在未来五年内增长超过126％，达到8.36亿美元。定价和供货情况：该ALD8100xx/ALD9100xx SAB MOSFET系列可在行业标准16-Pin/8-引脚SOIC封装。千片批购价为每1.12元。关于先进的线性器件，公司先进的线性器件公司（ALD）是一种创新设计的领导者模拟半导体专业从事精密CMOS的研发和制造线性集成电路，包括模拟开关， A / D转换器和芯片组，电压比较器，运算放大器，模拟定时器，以及常规和精确EPAD MOSFET晶体管。 |
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